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Le Silicium Poreux
ISBN-13: 9786131576058 / Francuski / Miękka / 2018 / 156 str.
Ce travail met en A(c)vidence l'importance du silicium poreux en prA(c)sence de tA(c)trachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuretA(c)s lors de la croissance et l'obtention de couches minces de trA]s grande qualitA(c). La premiA]re partie est consacrA(c)e A une gA(c)nA(c)ralitA(c) sur les propriA(c)tA(c)s des couches minces de Si. Dans la deuxiA]me partie nous prA(c)sentons les propriA(c)tA(c)s du silicium poreux (SP) et son effet de gettering. L'effet de gettering par SP en prA(c)sence du SiCl4 a A(c)tA(c) A(c)valuA(c) par l'augmentation prononcA(c)e de la mobilitA(c) des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans la troisiA]me partie est prA(c)sentA(c) le montage utilisA(c), ainsi que les conditions d'A(c)laboration des couches de silicium. La derniA]re partie donne les rA(c)sultats des caractA(c)risations structurales et A(c)lectriques des couches minces A(c)laborA(c)es sur des substrats de SP. Les rA(c)sultats montrent que la mobilitA(c) des porteurs varie de 107 A 186 cmAV-1s-1 et est plus A(c)levA(c)e que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD.
Ce travail met en évidence limportance du silicium poreux en présence de tétrachlorure de silicium dans le gettering et le blocage des impuretés lors de la croissance et lobtention de couches minces de très grande qualité. La première partie est consacrée à une généralité sur les propriétés des couches minces de Si. Dans la deuxième partie nous présentons les propriétés du silicium poreux (SP) et son effet de gettering. Leffet de gettering par SP en présence du SiCl4 a été évalué par laugmentation prononcée de la mobilité des porteurs majoritaire et la longueur de diffusion des porteurs minoritaires. Dans la troisième partie est présenté le montage utilisé, ainsi que les conditions délaboration des couches de silicium. La dernière partie donne les résultats des caractérisations structurales et électriques des couches minces élaborées sur des substrats de SP. Les résultats montrent que la mobilité des porteurs varie de 107 à 186 cm²V-1s-1 et est plus élevée que celles obtenues par LPCVD et RT-LPCVD.
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