• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

SV Jagadeesh Chandra » książki

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2950560]
• Literatura piękna
 [1849509]

  więcej...
• Turystyka
 [71097]
• Informatyka
 [151150]
• Komiksy
 [35848]
• Encyklopedie
 [23178]
• Dziecięca
 [617388]
• Hobby
 [139064]
• AudioBooki
 [1657]
• Literatura faktu
 [228597]
• Muzyka CD
 [383]
• Słowniki
 [2855]
• Inne
 [445295]
• Kalendarze
 [1464]
• Podręczniki
 [167547]
• Poradniki
 [480102]
• Religia
 [510749]
• Czasopisma
 [516]
• Sport
 [61293]
• Sztuka
 [243352]
• CD, DVD, Video
 [3414]
• Technologie
 [219456]
• Zdrowie
 [101002]
• Książkowe Klimaty
 [124]
• Zabawki
 [2311]
• Puzzle, gry
 [3459]
• Literatura w języku ukraińskim
 [254]
• Art. papiernicze i szkolne
 [8079]
Kategorie szczegółowe BISAC

Wyniki wyszukiwania:

wyszukanych pozycji: 14

Dostępność:
Kategoria:
Dostępny język:
Cena:
od:
do:
ilość na stronie:


 Massive MIMO Systems Prasad, M.Jagadeesh Chandra 9786206182283
Massive MIMO Systems

ISBN: 9786206182283 / Angielski / Miękka / 124 str.

ISBN: 9786206182283/Angielski/Miękka/124 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
M.Jagadeesh Chandra Prasad
The Long-term evaluation (LTE) based Fourth generation (4G) and Fifth Generation (5G)communications requires the higher data rates to satisfy the requirements of user equipment. However, the conventional Multiple Input Multiple Output (MIMO) systems are failed to provide the maximum throughput, data rates to end users, which is challenging task. Further, increment in the data rates, causing higher power consumption, which resulted in reduction of spectrum efficiency and energy efficiency. Initially, this research work is focusing on implementation of Expectation Maximization based Doubly...
The Long-term evaluation (LTE) based Fourth generation (4G) and Fifth Generation (5G)communications requires the higher data rates to satisfy the requ...
cena: 271,77

 Massive MIMO-Systeme M Jagadeesh Chandra Prasad   9786206251675
Massive MIMO-Systeme

ISBN: 9786206251675 / Niemiecki

ISBN: 9786206251675/Niemiecki

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
M Jagadeesh Chandra Prasad
cena: 271,77

 Systemes MIMO massifs M Jagadeesh Chandra Prasad   9786206251705
Systemes MIMO massifs

ISBN: 9786206251705 / Francuski

ISBN: 9786206251705/Francuski

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
M Jagadeesh Chandra Prasad
cena: 271,77

 Sistemas MIMO macicos M Jagadeesh Chandra Prasad   9786206251729
Sistemas MIMO macicos

ISBN: 9786206251729 / Portugalski

ISBN: 9786206251729/Portugalski

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
M Jagadeesh Chandra Prasad
cena: 271,77

 Sistemi MIMO massivi M Jagadeesh Chandra Prasad   9786206251712
Sistemi MIMO massivi

ISBN: 9786206251712 / Włoski

ISBN: 9786206251712/Włoski

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
M Jagadeesh Chandra Prasad
cena: 271,77

 Filmes dieléctricos de alto teor de óxido de zircónio dopado de óxido de tântalo para dispositivos MOS Jagadeesh Chandra, S.V., Kumar, Mallem, Ramana, V. V. 9786205216880
Filmes dieléctricos de alto teor de óxido de zircónio dopado de óxido de tântalo para dispositivos MOS

ISBN: 9786205216880 / Portugalski / Miękka / 52 str.

ISBN: 9786205216880/Portugalski/Miękka/52 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
S.V. Jagadeesh Chandra; Mallem Kumar; V. V. Ramana
cena: 160,21

 Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS Jagadeesh Chandra, S.V., Kumar, Mallem, Ramana, V. V. 9786205216996
Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS

ISBN: 9786205216996 / Francuski / Miękka / 52 str.

ISBN: 9786205216996/Francuski/Miękka/52 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
S.V. Jagadeesh Chandra; Mallem Kumar; V. V. Ramana
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception de VLSI. Un nouveau matériau diélectrique de grille mixte à haute k, c'est-à-dire l'oxyde de tantale dopé au zirconium (TaOx dopé au Zr) et l'oxyde de tantale dopé au hafnium (TaOx dopé au Hf), a été étudié de manière approfondie pour les futures applications MOSFET. Dépôt d'un nouveau diélectrique de grille à k élevé par mélange de Ta2O5 avec du ZrO2 et du HfO2 en utilisant la technique de co-pulvérisation, afin...
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception...
cena: 160,21

 Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente Jagadeesh Chandra, S.V., Kumar, Mallem, Ramana, V. V. 9786205216972
Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente

ISBN: 9786205216972 / Miękka / 52 str.

ISBN: 9786205216972/Miękka/52 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
S.V. Jagadeesh Chandra; Mallem Kumar; V. V. Ramana
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein neuartiges gemischtes High-k-Gate-Dielektrikum, d.h. zirkoniumdotiertes Tantaloxid (Zr-dotiertes TaOx) und Hafnium-dotiertes Tantaloxid (Hf-dotiertes TaOx), wurde für künftige MOSFET-Anwendungen eingehend untersucht. Abscheidung eines neuen High-k-Gate-Dielektrikums durch Mischung von Ta2O5 mit ZrO2 und HfO2 mittels Co-Sputtertechnik, um die Anforderungen an thermodynamische Stabilität, einen großen Bereich der Übergangstemperatur von...
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein...
cena: 160,21

 Film dielettrici high-k di ossido di tantalio drogato con zirconio per dispositivi MOS Jagadeesh Chandra, S.V., Kumar, Mallem, Ramana, V. V. 9786205216873
Film dielettrici high-k di ossido di tantalio drogato con zirconio per dispositivi MOS

ISBN: 9786205216873 / Włoski / Miękka / 52 str.

ISBN: 9786205216873/Włoski/Miękka/52 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
S.V. Jagadeesh Chandra; Mallem Kumar; V. V. Ramana
cena: 160,21

 Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices : Role of Annealing on the Interface Engineering T. V., Rajesh; S. V., Jagadeesh Chandra; Ch, V. V. Ramana 9783659684852
Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices : Role of Annealing on the Interface Engineering

ISBN: 9783659684852 / Angielski / Miękka / 2017 / 76 str.

ISBN: 9783659684852/Angielski/Miękka/2017/76 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
Rajesh T. V.; Jagadeesh Chandra S. V.; V. V. Ramana Ch
cena: 160,21

 Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS T. V., Rajesh, S. V., Jagadeesh Chandra, Ch, V. V. Ramana 9786206433828
Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS

ISBN: 9786206433828 / Portugalski / Miękka / 68 str.

ISBN: 9786206433828/Portugalski/Miękka/68 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
Rajesh T. V.; Jagadeesh Chandra S. V.; V. V. Ramana Ch
cena: 160,21

 Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen T. V., Rajesh, S. V., Jagadeesh Chandra, Ch, V. V. Ramana 9786206433781
Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen

ISBN: 9786206433781 / Niemiecki / Miękka / 72 str.

ISBN: 9786206433781/Niemiecki/Miękka/72 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
Rajesh T. V.; Jagadeesh Chandra S. V.; V. V. Ramana Ch
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine große Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme...
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Haf...
cena: 160,21

 Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS T. V., Rajesh, S. V., Jagadeesh Chandra, Ch, V. V. Ramana 9786206433798
Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS

ISBN: 9786206433798 / Francuski / Miękka / 68 str.

ISBN: 9786206433798/Francuski/Miękka/68 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
Rajesh T. V.; Jagadeesh Chandra S. V.; V. V. Ramana Ch
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception VLSI. Cependant, l'oxyde d'hafnium (HfO2) est un candidat prometteur pour la prochaine génération de diélectriques de grille en raison de sa constante diélectrique 25 relativement élevée, de sa large bande interdite, de sa bonne stabilité thermique et de son énergie libre de réaction relativement élevée avec le matériau du substrat. Récemment, les dispositifs électroniques à base de Ge ont fait l'objet d'une attention...
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception...
cena: 160,21

 Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS T. V., Rajesh, S. V., Jagadeesh Chandra, Ch, V. V. Ramana 9786206433811
Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS

ISBN: 9786206433811 / Włoski / Miękka / 68 str.

ISBN: 9786206433811/Włoski/Miękka/68 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Dostawa w 2026 r.)
Rajesh T. V.; Jagadeesh Chandra S. V.; V. V. Ramana Ch
cena: 160,21


Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia