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Massive MIMO Systems
ISBN: 9786206182283 / Angielski / Miękka / 124 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. The Long-term evaluation (LTE) based Fourth generation (4G) and Fifth Generation (5G)communications requires the higher data rates to satisfy the requirements of user equipment. However, the conventional Multiple Input Multiple Output (MIMO) systems are failed to provide the maximum throughput, data rates to end users, which is challenging task. Further, increment in the data rates, causing higher power consumption, which resulted in reduction of spectrum efficiency and energy efficiency. Initially, this research work is focusing on implementation of Expectation Maximization based Doubly...
The Long-term evaluation (LTE) based Fourth generation (4G) and Fifth Generation (5G)communications requires the higher data rates to satisfy the requ...
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cena:
276,24 zł |
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Systemes MIMO massifs
ISBN: 9786206251705 / Francuski Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
276,24 zł |
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Sistemi MIMO massivi
ISBN: 9786206251712 / Włoski Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
276,24 zł |
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Sistemas MIMO macicos
ISBN: 9786206251729 / Portugalski Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
276,24 zł |
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Massive MIMO-Systeme
ISBN: 9786206251675 / Niemiecki Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
276,24 zł |
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Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente
ISBN: 9786205216972 / Miękka / 52 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein neuartiges gemischtes High-k-Gate-Dielektrikum, d.h. zirkoniumdotiertes Tantaloxid (Zr-dotiertes TaOx) und Hafnium-dotiertes Tantaloxid (Hf-dotiertes TaOx), wurde für künftige MOSFET-Anwendungen eingehend untersucht. Abscheidung eines neuen High-k-Gate-Dielektrikums durch Mischung von Ta2O5 mit ZrO2 und HfO2 mittels Co-Sputtertechnik, um die Anforderungen an thermodynamische Stabilität, einen großen Bereich der Übergangstemperatur von...
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein...
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cena:
162,84 zł |
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Filmes dieléctricos de alto teor de óxido de zircónio dopado de óxido de tântalo para dispositivos MOS
ISBN: 9786205216880 / Portugalski / Miękka / 52 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
162,84 zł |
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Films diélectriques à haute valeur k en oxyde de tantale dopé au zirconium pour dispositifs MOS
ISBN: 9786205216996 / Francuski / Miękka / 52 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception de VLSI. Un nouveau matériau diélectrique de grille mixte à haute k, c'est-à-dire l'oxyde de tantale dopé au zirconium (TaOx dopé au Zr) et l'oxyde de tantale dopé au hafnium (TaOx dopé au Hf), a été étudié de manière approfondie pour les futures applications MOSFET. Dépôt d'un nouveau diélectrique de grille à k élevé par mélange de Ta2O5 avec du ZrO2 et du HfO2 en utilisant la technique de co-pulvérisation, afin...
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception...
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cena:
162,84 zł |
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Film dielettrici high-k di ossido di tantalio drogato con zirconio per dispositivi MOS
ISBN: 9786205216873 / Włoski / Miękka / 52 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
162,84 zł |
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Die Rolle des Ausglühens bei der Grenzflächentechnik in Ge-MOS-Bauelementen
ISBN: 9786206433781 / Niemiecki / Miękka / 72 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Hafniumoxid (HfO2) ist ein vielversprechender Kandidat für die nächste Generation von Gate-Dielektrika, da es eine relativ hohe Dielektrizitätskonstante 25, eine große Bandlücke, gute thermische Stabilität und eine relativ hohe freie Reaktionsenergie mit dem Substratmaterial aufweist. In jüngster Zeit haben elektronische Bauelemente auf Ge-Basis wieder beträchtliche Aufmerksamkeit erlangt, und Ge kann Lösungen für wichtige Probleme...
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Haf...
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cena:
162,84 zł |
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Rôle du recuit sur l'ingénierie d'interface dans les dispositifs Ge MOS
ISBN: 9786206433798 / Francuski / Miękka / 68 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception VLSI. Cependant, l'oxyde d'hafnium (HfO2) est un candidat prometteur pour la prochaine génération de diélectriques de grille en raison de sa constante diélectrique 25 relativement élevée, de sa large bande interdite, de sa bonne stabilité thermique et de son énergie libre de réaction relativement élevée avec le matériau du substrat. Récemment, les dispositifs électroniques à base de Ge ont fait l'objet d'une attention...
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception...
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162,84 zł |
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Papel do recozimento na engenharia de interface em dispositivos Ge MOS
ISBN: 9786206433828 / Portugalski / Miękka / 68 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
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162,84 zł |
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Ruolo della ricottura sull'ingegneria dell'interfaccia nei dispositivi Ge MOS
ISBN: 9786206433811 / Włoski / Miękka / 68 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
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162,84 zł |
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Role of Annealing on the Interface Engineering in Ge MOS devices : Role of Annealing on the Interface Engineering
ISBN: 9783659684852 / Angielski / Miękka / 2017 / 76 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
162,84 zł |
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