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In this book the main focus has been on the modeling and the influence of depletion layers around the source and the drain regions on the sub-threshold characteristics of a short channel MOS transistor with uniformly-doped channel. An analytical model for sub-threshold surface potential in a short channel MOS transistor has been developed by solving the pseduo-2D Poisson's equation, formulated by applying Gauss's law to a rectangular box in the channel covering the entire depletion layer depth. The model has been able to predict an increased influence of the junction depletion regions for...

Dans ce livre, l'accent a été mis sur la modélisation et l'influence des couches de déplétion autour des régions de source et de drain sur les caractéristiques de sous-seuil d'un transistor MOS à canal court avec un canal uniformément dopé. Un modèle analytique pour le potentiel de surface sous le seuil dans un transistor MOS à canal court a été développé en résolvant l'équation de Poisson pseduo-2D, formulée en appliquant la loi de Gauss à une boîte rectangulaire dans le canal couvrant toute la profondeur de la couche d'appauvrissement. Le modèle a permis de prédire...

In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichmäßig dotiertem Kanal. Ein analytisches Modell für das Oberflächenpotential unter der Schwelle in einem Kurzkanal-MOS-Transistor wurde entwickelt, indem die pseduo-2D-Poisson-Gleichung gelöst wurde, die durch Anwendung des Gaußschen Gesetzes auf einen rechteckigen Kasten im Kanal formuliert wurde, der die gesamte Tiefe der Verarmungsschicht abdeckt. Mit dem Modell konnte ein...