topmenu
Wyniki wyszukiwania:
wyszukanych pozycji: 33
 |
Modelling of basic parameters for non-conventional MOSFETs
ISBN: 9786206739814 / Angielski / Miękka / 64 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and...
In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Ma...
|
cena:
196,82 zł |
 |
Review of non conventional MOSFETs
ISBN: 9786206160410 / Angielski / Miękka / 108 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) The book gives an insight into scaling and short channel effects in MOSFETs. Also the brief idea of non conventional MOSFET structures can be obtained from the text. Beginners can go through the book to acquire knowledge on the device physics behind short channel MOSFETs.The researchers can go through the book to obtain in depth idea on developing models of novel device structures which can suppress short channel effects more effectively.
The book gives an insight into scaling and short channel effects in MOSFETs. Also the brief idea of non conventional MOSFET structures can be obtained...
|
cena:
273,04 zł |
 |
Modelação de parâmetros básicos para MOSFETs não convencionais
ISBN: 9786206331216 / Portugalski / Miękka / 60 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
196,82 zł |
 |
Modelirowanie osnownyh parametrow netradicionnyh MOP-tranzistorow
ISBN: 9786206331223 / Rosyjski / Miękka / 64 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
88,78 zł |
 |
Remedies of Short Channel Effects in Conventional MOSFET
ISBN: 9783659566264 / Angielski / Miękka / 2014 / 76 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) MOSFETs are scaled primarily due to increased packing density and speed. Due to scaling some drawbacks are found in conventional MOSFET. They are mobility degradation and surface scattering, velocity saturation in MOSFET, avalanche breakdown, hot electron effect, drain induced barrier lowering(DIBL), reduction of threshold voltage, punch through. These drawbacks are known as Short Channel Effect(SCE).The model of double halo dual material gate combines the advantages of both the channel engineering (halo) and the gate engineering techniques (dual-material gate) to effectively suppress the...
MOSFETs are scaled primarily due to increased packing density and speed. Due to scaling some drawbacks are found in conventional MOSFET. They are mobi...
|
cena:
160,95 zł |
 |
Modellazione dei parametri di base per i MOSFET non convenzionali
ISBN: 9786206331209 / Włoski / Miękka / 60 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
196,82 zł |
 |
Parameter modeling of submicron mosfet
ISBN: 9783846522004 / Angielski / Miękka / 64 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) This text book is intended to take readers having only a minimal background and knowledge in device to the point at which they can model any short channel MOSFET.The readers will understand the utility of modeling any characteristic parameter of mosfet.The goal is to provide the most up-to-date information in the field. The text is reinforced with physical and intuitive explanations and necessary mathematical quantitative analysis.The book is meant for both undergraduate and post graduate students wanting to do research work in the device field.
This text book is intended to take readers having only a minimal background and knowledge in device to the point at which they can model any short cha...
|
cena:
219,69 zł |
 |
Modélisation des paramètres de base des MOSFET non conventionnels
ISBN: 9786206331193 / Francuski / Miękka / 60 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) Dans ce livre, les techniques d'ingénierie de canal et d'ingénierie de grille sont combinées pour former de nouvelles structures de dispositifs proposées en tant que MOSFETs à grille simple-halo à double matériau (SHDMG) et à grille double-halo à double matériau (DHDMG). Les MOSFETs avancés sont dopés de manière non uniforme en raison d'un processus complexe. Par conséquent, l'un des facteurs clés pour modéliser les paramètres caractéristiques avec précision est de modéliser son profil de dopage non uniforme. Le livre présente également un potentiel de surface sous seuil...
Dans ce livre, les techniques d'ingénierie de canal et d'ingénierie de grille sont combinées pour former de nouvelles structures de dispositifs pro...
|
cena:
196,82 zł |
 |
Surface potential of Dual Material Gate MOSFET with high-k dielectrics
ISBN: 9783659421228 / Angielski / Miękka / 2013 / 64 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) The shrinking of device dimension leads to reduction of gate oxide thickness. As a result of this the undesirable hot electron effect and the gate tunneling current is increased. In order to overcome this drawback high-k materials are used instead of silicon dioxide as the insulating material underneath the gate. High-k dielectrics are used in semiconductor manufacturing processes where they are usually used to replace a silicon dioxide gate dielectric.Among various high-k materials, Hafnium oxide (HfO2), Tantalum pent oxide (Ta2O5) these materials appear to be the candidates for replacing...
The shrinking of device dimension leads to reduction of gate oxide thickness. As a result of this the undesirable hot electron effect and the gate tun...
|
cena:
160,95 zł |
 |
Obzor netradicionnyh MOP-tranzistorow
ISBN: 9786206030485 / Rosyjski / Miękka / 124 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
111,20 zł |
 |
Modellierung der grundlegenden Parameter für nicht-konventionelle MOSFETs
ISBN: 9786206331179 / Niemiecki / Miękka / 64 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichmäßig dotiert. Daher ist einer der Schlüsselfaktoren für die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichmäßigen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell für das Oberflächenpotential unterhalb der Schwelle, die Schwellenspannung, den...
In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDM...
|
cena:
196,82 zł |
 |
Examen des MOSFET non conventionnels
ISBN: 9786206030393 / Francuski Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
273,04 zł |
 |
Rassegna dei MOSFET non convenzionali
ISBN: 9786206030461 / Włoski Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
273,04 zł |
 |
UEberblick uber nicht konventionelle MOSFETs
ISBN: 9786206030379 / Niemiecki Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
273,04 zł |
 |
Revisao dos MOSFETs nao convencionais
ISBN: 9786206030478 / Portugalski Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
273,04 zł |
 |
Grundlegende Konzepte der visuellen Medien
ISBN: 9786206462514 / Niemiecki / Miękka / 52 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) Visuelle Medien sind Medien, die mit unseren visuellen Sinnen wahrgenommen werden können. Die ältesten uns bekannten Hinweise auf visuelle Medien sind natürlich die auf Felsen, Wände und später auf Leinwände geätzten Gemälde. Mit dem Aufkommen des Theaters sahen wir visuelle Darstellungen, die nacheinander aufgeführt wurden. Mit dem Aufkommen des Fernsehens sahen wir nacheinander digitalisierte Bilder. Seitdem haben wir große Sprünge gemacht. Es gibt Computer und Telefone, auf denen digitalisierte Medien verständlich und zugänglich sind. Animationen sind nun für die breite Masse...
Visuelle Medien sind Medien, die mit unseren visuellen Sinnen wahrgenommen werden können. Die ältesten uns bekannten Hinweise auf visuelle Medien si...
|
cena:
196,82 zł |
 |
Short Channel MOSFETs : A modeling approach
ISBN: 9783659891021 / Angielski / Miękka / 2016 / 80 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
160,95 zł |
 |
Concetti di base dei media visivi
ISBN: 9786206462545 / Włoski / Miękka / 52 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
196,82 zł |
 |
Conceitos básicos de meios visuais
ISBN: 9786206462552 / Portugalski / Miękka / 52 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
196,82 zł |
 |
Basic concepts of Visual Media
ISBN: 9786206752219 / Angielski / Miękka / 56 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) Visual media is a medium that can be perceived by our visual senses. Our oldest known references to visual media are of course the paintings etched on rocks, walls and later canvases. With the advent of plays, we saw visuals performed in succession. With the advent of television, we saw digitized images in succession. Since then, we have come leaps and bounds. There are computers, phone-devices on which digitized media is comprehensible and accessible. Animation is now available to the masses, a phenomenon where drawn images move as they are made to enact and dance and speak. 3D technology is...
Visual media is a medium that can be perceived by our visual senses. Our oldest known references to visual media are of course the paintings etched on...
|
cena:
196,82 zł |
Czytaj nas na:
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
