Mise Au Point d'Un Réacteur Épitaxial CBE » książka
Mise Au Point d'Un Réacteur Épitaxial CBE
ISBN-13: 9783841629364 / Francuski / Miękka / 2018 / 120 str.
Ce travail consiste A l'asservissement et la mise en marche d'un rA(c)acteur d'A(c)pitaxie par jets chimiques au Laboratoire d'A0/00pitaxie AvancA(c)e de l'UniversitA(c) de Sherbrooke. Le rA(c)acteur sert A la croissance dans l'ultravide de matA(c)riaux semi-conducteurs tels que l'arsA(c)niure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matA(c)riel informatique de National Instruments sont utilisA(c)s pour asservir entre autres l'injection des gaz et la tempA(c)rature d'opA(c)ration. Des amA(c)liorations apportA(c)es au rA(c)acteur sont dA(c)crites, notamment les systA]mes d'injection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de mAame nature rA(c)vA]lent un matA(c)riau de bonne qualitA(c). La rugositA(c) et le comportement en dopage p et n sont rapportA(c)s. De mAame, les propriA(c)tA(c)s de GaInP sur GaAs, premier matA(c)riau ternaire crA au laboratoire, sont rapportA(c)es. Finalement, la mise en marche du rA(c)acteur d'A(c)pitaxie par jets chimiques permet maintenant A cinq A(c)tudiants graduA(c)s de faire progresser des projets reliA(c)s directement A la croissance A(c)pitaxiale au Laboratoire d'A0/00pitaxie AvancA(c)e de l'UniversitA(c) de Sherbrooke.
Ce travail consiste à lasservissement et la mise en marche dun réacteur dépitaxie par jets chimiques au Laboratoire dÉpitaxie Avancée de lUniversité de Sherbrooke. Le réacteur sert à la croissance dans lultravide de matériaux semi-conducteurs tels que larséniure de gallium (GaAs) et le phosphure dindium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matériel informatique de National Instruments sont utilisés pour asservir entre autres linjection des gaz et la température dopération. Des améliorations apportées au réacteur sont décrites, notamment les systèmes dinjection et de pompage. Des croissances de GaAs(100) sur substrat de même nature révèlent un matériau de bonne qualité. La rugosité et le comportement en dopage p et n sont rapportés. De même, les propriétés de GaInP sur GaAs, premier matériau ternaire crû au laboratoire, sont rapportées. Finalement, la mise en marche du réacteur dépitaxie par jets chimiques permet maintenant à cinq étudiants gradués de faire progresser des projets reliés directement à la croissance épitaxiale au Laboratoire dÉpitaxie Avancée de lUniversité de Sherbrooke.
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