Ce travail consiste A l'asservissement et la mise en marche d'un rA(c)acteur d'A(c)pitaxie par jets chimiques au Laboratoire d'A0/00pitaxie AvancA(c)e de l'UniversitA(c) de Sherbrooke. Le rA(c)acteur sert A la croissance dans l'ultravide de matA(c)riaux semi-conducteurs tels que l'arsA(c)niure de gallium (GaAs) et le phosphure d'indium-gallium (GaInP). La programmation LabVIEW et du matA(c)riel informatique de National Instruments sont utilisA(c)s pour asservir entre autres l'injection des gaz et la tempA(c)rature d'opA(c)ration. Des amA(c)liorations apportA(c)es au rA(c)acteur sont...