Le Transistor CMOS: La Course Vers Le Nanomonde... » książka
Le Transistor CMOS: La Course Vers Le Nanomonde...
ISBN-13: 9786131548055 / Francuski / Miękka / 2018 / 280 str.
Ce travail de thA]se est constituA(c) de deux grandes parties. Dans la premiA]re partie, nous avons A(c)tudiA(c) la redistribution du B dans le Si(001), A l''ambiante et aprA]s recuit thermique, A l''aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette A(c)tude, le Si a A(c)tA(c) fortement dopA(c) en B. La concentration en B dans le Si peut alors dA(c)passer la limite de solubilitA(c). On est donc dans le cas d''un systA]me sursaturA(c). Dans ce cas, nous avons observA(c) qu''A la formation de dA(c)fauts (BIC''s, etc...) s''ajoute la germination d''amas riches en B ou mAame la prA(c)cipitation d''une nouvelle phase aprA]s recuit thermique. Dans la deuxiA]me partie, nous avons A(c)tudiA(c) la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilisA(c) lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de rA(c)duire la rA(c)sistance de contact. A part l''accumulation du B A l''interface NiSi/Si et A la surface de NiSi, nous avons observA(c), la prA(c)cipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit A 450AC. En revanche, pour le Pt nous n''observons plus un phA(c)nomA]ne de prA(c)cipitation. Il a plutAt tendance de sA(c)grA(c)ger aux interfaces A 290AC (phA(c)nomA]ne de chasse-neige ), tandis qu''au delA de 350AC, le Pt s''accumule plutot dans la phase NiSi.
Ce travail de thèse est constitué de deux grandes parties. Dans la première partie, nous avons étudié la redistribution du B dans le Si(001), à lambiante et après recuit thermique, à laide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette étude, le Si a été fortement dopé en B. La concentration en B dans le Si peut alors dépasser la limite de solubilité. On est donc dans le cas dun système sursaturé. Dans ce cas, nous avons observé quà la formation de défauts (BICs, etc...) sajoute la germination damas riches en B ou même la précipitation dune nouvelle phase après recuit thermique. Dans la deuxième partie, nous avons étudié la redistribution du B et du Pt dans le NiSi, utilisé lors de la miniaturisation des transistors MOS, afin de réduire la résistance de contact. A part laccumulation du B à linterface NiSi/Si et à la surface de NiSi, nous avons observé, la précipitation du B dans le monosiliciure de Ni, pour un recuit à 450°C. En revanche, pour le Pt nous nobservons plus un phénomène de précipitation. Il a plutôt tendance de ségréger aux interfaces à 290°C (phénomène de "chasse-neige "), tandis quau delà de 350°C, le Pt saccumule plutot dans la phase NiSi.
Czytaj nas na:
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
