Ce travail de thA]se est constituA(c) de deux grandes parties. Dans la premiA]re partie, nous avons A(c)tudiA(c) la redistribution du B dans le Si(001), A l''ambiante et aprA]s recuit thermique, A l''aide principalement de la sonde atomique tomographique. Pour cette A(c)tude, le Si a A(c)tA(c) fortement dopA(c) en B. La concentration en B dans le Si peut alors dA(c)passer la limite de solubilitA(c). On est donc dans le cas d''un systA]me sursaturA(c). Dans ce cas, nous avons observA(c) qu''A la formation de dA(c)fauts (BIC''s, etc...) s''ajoute la germination d''amas riches en B ou mAame la...