• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2949965]
• Literatura piękna
 [1857847]

  więcej...
• Turystyka
 [70818]
• Informatyka
 [151303]
• Komiksy
 [35733]
• Encyklopedie
 [23180]
• Dziecięca
 [617748]
• Hobby
 [139972]
• AudioBooki
 [1650]
• Literatura faktu
 [228361]
• Muzyka CD
 [398]
• Słowniki
 [2862]
• Inne
 [444732]
• Kalendarze
 [1620]
• Podręczniki
 [167233]
• Poradniki
 [482388]
• Religia
 [509867]
• Czasopisma
 [533]
• Sport
 [61361]
• Sztuka
 [243125]
• CD, DVD, Video
 [3451]
• Technologie
 [219309]
• Zdrowie
 [101347]
• Książkowe Klimaty
 [123]
• Zabawki
 [2362]
• Puzzle, gry
 [3791]
• Literatura w języku ukraińskim
 [253]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7933]
Kategorie szczegółowe BISAC

Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon

ISBN-13: 9783211206874 / Angielski / Twarda / 2004 / 554 str.

Peter Pichler; P. Pichler
Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon Peter Pichler P. Pichler 9783211206874 Springer - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Intrinsic Point Defects, Impurities, and Their Diffusion in Silicon

ISBN-13: 9783211206874 / Angielski / Twarda / 2004 / 554 str.

Peter Pichler; P. Pichler
cena 1210,50 zł
(netto: 1152,86 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 1156,64 zł
Termin realizacji zamówienia:
ok. 22 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!

Basically all properties of semiconductor devices are influenced by the distribution of point defects in their active areas. This book contains the first comprehensive review of the properties of intrinsic point defects, acceptor and donor impurities, isovalent atoms, chalcogens, and halogens in silicon, as well as of their complexes. Special emphasis is placed on compiling the structures, energetic properties, identified electrical levels and spectroscopic signatures, and the diffusion behavior from experimental and theoretical investigations. In addition, the book discusses the fundamental concepts of silicon and its defects, the electron system, diffusion, thermodynamics, and reaction kinetics which form the scientific basis needed for a thorough understanding of the text. Therefore, the book is able to provide an introduction to newcomers in this field up to a comprehensive reference for experts in process technology, solid-state physics, and simulation of semiconductor processes.

Kategorie:
Technologie
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Electrical
Technology & Engineering > Optics
Technology & Engineering > Electronics - Microelectronics
Wydawca:
Springer
Seria wydawnicza:
Computational Microelectronics
Język:
Angielski
ISBN-13:
9783211206874
Rok wydania:
2004
Wydanie:
2004
Numer serii:
000080389
Ilość stron:
554
Waga:
1.20 kg
Wymiary:
25.4 x 17.8
Oprawa:
Twarda
Wolumenów:
01
Dodatkowe informacje:
Bibliografia
Wydanie ilustrowane

Preface / Frequently Used Symbols / Explanation of Frequently Used Abbreviations Fundamental Concepts Silicon and Its Imperfections; The Electron System; Phenomenological and Atomistic Approaches to Diffusion; Thermodynamics; Reaction Kinetics; Exchange of Matter Between Phases; Bibliography Intrinsic Point Defects Concentration in Thermal Equilibrium; Diffusion of Intrinsic Point Defects; Self-Diffusion and Tracer Diffusion; Vacancies; Self-Interstitials; Frenkel Pairs; Bulk Recombination and Bulk Processes; Surface Recombination and Surface Processes; Initial Conditions; Bibliography Impurity Diffusion in Silicon Basic Mechanisms; Impurity-Point-Defect Pairs; Diffusion of Substitutional Impurities via Mobile Complexes with Intrinsic Point Defects; Pair-Diffusion Models; Frank-Turnbull Mechanism; Kick-Out Mechanism; Bibliography Isovalent Impurities Carbon; Germanium; Tin; Bibliography Dopants Dopant Clusters; Ion Pairing; Boron; Aluminum; Gallium; Indium; Nitrogen; Phosphorus; Arsenic; Antimony; Bibliography Chalcogens Oxygen; Sulfur; Selenium; Tellurium; Bibliography Halogens Fluorine; Chlorine; Bromine; Bibliography List of Tables / List of Figures / Index

Pichler, Peter fm.author_biographical_note1... więcej >


Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia