Hétérostructures (Al,Ga)N/GaN sur silicium : Epitaxie par jets moléculaires - Applications composants » książka
Hétérostructures (Al,Ga)N/GaN sur silicium : Epitaxie par jets moléculaires - Applications composants
ISBN-13: 9783838149790 / Francuski / Miękka / 2018 / 180 str.
Hétérostructures (Al,Ga)N/GaN sur silicium : Epitaxie par jets moléculaires - Applications composants
ISBN-13: 9783838149790 / Francuski / Miękka / 2018 / 180 str.
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Ce travail concerne le dA(c)veloppement et l'A(c)valuation de nitrures d'A(c)lA(c)ments III A(c)pitaxiA(c)s sur substrat de silicium (111). L'objectif de notre travail A(c)tait la rA(c)alisation et l'A(c)tude d'hA(c)tA(c)rostructures (Al, Ga)N/GaN en vue d'A(c)valuer leurs potentialitA(c)s pour deux types d'applications. La premiA]re concerne les microcavitA(c)s destinA(c)es A l'A(c)tude du couplage exciton-photon et A la fabrication de diodes A(c)lectroluminescentes A cavitA(c) rA(c)sonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfrA(c)quences de type transistors A gaz 2D d'A(c)lectrons. Le chapitre I est consacrA(c) A la description d'un procA(c)dA(c) de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets molA(c)culaires, L'A(c)tude des propriA(c)tA(c)s A(c)lectriques et optiques d'hA(c)tA(c)rostructures (Al, Ga)N/GaN est reportA(c)e au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et dA(c)veloppons un moyen de contrAler la contrainte dans les superrA(c)seaux (Al, Ga)N/GaN. De tels superrA(c)seaux sont A(c)laborA(c)s pour la fabrication de DELs-CR A(c)mettant dans le bleu. Finalement, le rA(c)gime de couplage fort exciton-photon est pour la premiA]re fois mis en A(c)vidence dans les nitrures d'A(c)lA(c)ments III.
Ce travail concerne le développement et lévaluation de nitrures déléments III épitaxiés sur substrat de silicium (111). Lobjectif de notre travail était la réalisation et létude dhétérostructures (Al,Ga)N/GaN en vue dévaluer leurs potentialités pour deux types dapplications. La première concerne les microcavités destinées à létude du couplage exciton-photon et à la fabrication de diodes électroluminescentes à cavité résonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfréquences de type transistors à gaz 2D délectrons. Le chapitre I est consacré à la description dun procédé de croissance de GaN sur Si par epitaxie sous jets moléculaires, Létude des propriétés électriques et optiques dhétérostructures (Al,Ga)N/GaN est reportée au chapitre II. Dans le chapitre III nous proposons et développons un moyen de contrôler la contrainte dans les superréseaux (Al,Ga)N/GaN. De tels superréseaux sont élaborés pour la fabrication de DELs-CR émettant dans le bleu. Finalement, le régime de couplage fort exciton-photon est pour la première fois mis en évidence dans les nitrures déléments III.
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