Ce travail concerne le dA(c)veloppement et l'A(c)valuation de nitrures d'A(c)lA(c)ments III A(c)pitaxiA(c)s sur substrat de silicium (111). L'objectif de notre travail A(c)tait la rA(c)alisation et l'A(c)tude d'hA(c)tA(c)rostructures (Al, Ga)N/GaN en vue d'A(c)valuer leurs potentialitA(c)s pour deux types d'applications. La premiA]re concerne les microcavitA(c)s destinA(c)es A l'A(c)tude du couplage exciton-photon et A la fabrication de diodes A(c)lectroluminescentes A cavitA(c) rA(c)sonante (DELs-CR). La seconde a trait aux dispositifs hyperfrA(c)quences de type transistors A gaz 2D...