• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Gan and Zno-Based Materials and Devices » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2946912]
• Literatura piękna
 [1852311]

  więcej...
• Turystyka
 [71421]
• Informatyka
 [150889]
• Komiksy
 [35717]
• Encyklopedie
 [23177]
• Dziecięca
 [617324]
• Hobby
 [138808]
• AudioBooki
 [1671]
• Literatura faktu
 [228371]
• Muzyka CD
 [400]
• Słowniki
 [2841]
• Inne
 [445428]
• Kalendarze
 [1545]
• Podręczniki
 [166819]
• Poradniki
 [480180]
• Religia
 [510412]
• Czasopisma
 [525]
• Sport
 [61271]
• Sztuka
 [242929]
• CD, DVD, Video
 [3371]
• Technologie
 [219258]
• Zdrowie
 [100961]
• Książkowe Klimaty
 [124]
• Zabawki
 [2341]
• Puzzle, gry
 [3766]
• Literatura w języku ukraińskim
 [255]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7810]
Kategorie szczegółowe BISAC

Gan and Zno-Based Materials and Devices

ISBN-13: 9783642433238 / Angielski / Miękka / 2014 / 486 str.

Stephen Pearton
Gan and Zno-Based Materials and Devices Pearton, Stephen 9783642433238 Springer - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Gan and Zno-Based Materials and Devices

ISBN-13: 9783642433238 / Angielski / Miękka / 2014 / 486 str.

Stephen Pearton
cena 605,23
(netto: 576,41 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 578,30
Termin realizacji zamówienia:
ok. 22 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!

The AlInGaN and ZnO materials systems have proven to be one of the scientifically and technologically important areas of development over the past 15 years, with applications in UV/visible optoelectronics and in high-power/high-frequency microwave devices. The pace of advances in these areas has been remarkable and the wide band gap community relies on books like the one we are proposing to provide a review and summary of recent progress.

Kategorie:
Nauka, Fizyka
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Materials Science - Electronic Materials
Science > Physics - Crystallography
Technology & Engineering > Nanotechnology & MEMS
Wydawca:
Springer
Seria wydawnicza:
Springer Series in Materials Science
Język:
Angielski
ISBN-13:
9783642433238
Rok wydania:
2014
Wydanie:
2012
Numer serii:
000044317
Ilość stron:
486
Waga:
0.77 kg
Wymiary:
23.5 x 15.5
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01
Dodatkowe informacje:
Wydanie ilustrowane

1. UV LEDs-Michael Shur (RPI, email shurm@rpi.edu) 2. Non-Polar GaN Growth-Jung Han (Yale, email jung.han@yale.edu) 3. High Quality AlGaN Alloys-Hongxing Jiang and Jingyu Lin (Texas Tech, email hx.jiang@ttu.edu and jingyu.lin@ttu.edu) 4. Bulk AlN for UV LEDs –L.J. Schowalter (Crystal IS, email Leo@crystal-IS.com) 5. Enhancement of the Light-Extraction Efficiency of GaN-Based Light Emitting Diodes-Jihyun Kim (Korea University, Seoul 136-701, Korea, email: hyunhyun7@.korea.ac.kr ) 6. GaN-Based Sensors-F. Ren (Univ. Florida, email ren@che.ufl.edu) 7. III-N Alloys for Solar Power Conversion-Wladek Walukievicz (LBL, email W_Walukiewicz@lbl.gov) 8. GaN HEMT Technology-Wayne Johnson (Kopin, email Wayne_Johnson@kopin.com) 9. GaN Power Devices-John Shen (Univ.Central Florida, email johnshen@mail.ucf.edu)- 10. Nitride Nanostructures-Li-Chyong Chen (National Taiwan University, email chenlc@ntu.edu.tw) 11. Radiation-Induced Defects in GaN-Alexander Polyakov (IRM, Russia, email aypolyakov@gmail.com) 12. Electron Injection Effects in GaN-L. Chernyak (Univ. Central Florida, email chernyak@physics.ucf.edu) 13. Progress and Prospect of Rare-Earth Nitrides- R. Palai ( Department of Physics, University of Puerto Rico, San Juan, PR, 00931, USA, email: r.palai@uprrp.edu)- 14. Advances in PLD of ZnO and related compounds-Ashutosh Tiwari, (Dept. of Materials Science & Engineering, University of Utah, E-mail: tiwari@eng.utah.edu) 15. ZnO nanowires and p-type doping-Deli Wang (UCSD, Electrical and Computer Engineering, email dwang@ece.ucsd.edu) 16. Multifunctional ZnO Structures-Yicheng Lu (Rutgers, email ylu@ece.rutgers.edu)- 17. ZnO/MgZnO Quantum Wells-C. Jagadish (ANU, Australia, email cxj109@rsphysse.anu.edu.au) 18. GZO TFTs-E.Fortunato(CENIMAT, FCT-UNL, Campus de Caparica, 2829-516 Caparica, Portugal, email elvira-fortunato@fct.unl.pt )

Steve Pearton is one of the leaders in the field of GaN research and a co-author of another related successful Springer book.

The AlInGaN and ZnO materials systems have proven to be one of the scientifically and technologically important areas of development over the past 15 years, with applications in UV/visible optoelectronics and in high-power/high-frequency microwave devices. The pace of advances in these areas has been remarkable and the wide band gap community relies on books like the one we are proposing to provide a review and summary of recent progress.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia