Déposition de Couche Mince A-Si: H Par Procédé Pecvd » książka
Déposition de Couche Mince A-Si: H Par Procédé Pecvd
ISBN-13: 9783841741769 / Francuski / Miękka / 2018 / 112 str.
Cet ouvrage est une A(c)tude sur la dA(c)position de couche mince a-Si: H A(c)laborA(c)e A partir d'un mA(c)lange (SiH4 + H2) par les procA(c)dA(c)s CVD assistA(c)s par plasma. Pour la simulation numA(c)rique, nous avons utilisA(c) la mA(c)thode de Monte Carlo. Le modA]le cinA(c)tique collisionnel choisi a permis d'A(c)tudier les phA(c)nomA]nes physico-chimiques et les propriA(c)tA(c)s collisionnelles dans le volume du rA(c)acteur et A la surface du substrat. Pour calculer les probabilitA(c)s de la rA(c)activitA(c) des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept: la probabilitA(c) de rA(c)activitA(c) sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilitA(c) calculA(c)e, permet de calculer analytiquement les probabilitA(c)s de collage, de recombinaison et de rA(c)activitA(c) A la surface. A nos connaissances, c'est le premier modA]le analytique qui calcul ces probabilitA(c)s. Pour des tempA(c)ratures du gaz variant de 373 K A 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculA(c)e est 0,30 A 0,08. Cette valeur est la mAame que celle mesurA(c)e dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons prA(c)sentA(c) aussi un traitement de l'aspect fluide en rA(c)solvant l'A(c)quation de diffusion.
Cet ouvrage est une étude sur la déposition de couche mince a-Si:H élaborée à partir dun mélange (SiH4 + H2) par les procédés CVD assistés par plasma. Pour la simulation numérique, nous avons utilisé la méthode de Monte Carlo. Le modèle cinétique collisionnel choisi a permis détudier les phénomènes physico-chimiques et les propriétés collisionnelles dans le volume du réacteur et à la surface du substrat. Pour calculer les probabilités de la réactivité des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau concept : la probabilité de réactivité sur un site (SRP). Cette nouvelle probabilité calculée, permet de calculer analytiquement les probabilités de collage, de recombinaison et de réactivité à la surface. A nos connaissances, cest le premier modèle analytique qui calcul ces probabilités. Pour des températures du gaz variant de 373 K à 750 K, la valeur moyenne de la SFRP de SiH3 calculée est 0,30 ± 0,08. Cette valeur est la même que celle mesurée dans des travaux de Kessels et Hoefnagels. Nous avons présenté aussi un traitement de laspect fluide en résolvant léquation de diffusion.
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