Cet ouvrage est une A(c)tude sur la dA(c)position de couche mince a-Si: H A(c)laborA(c)e A partir d'un mA(c)lange (SiH4 + H2) par les procA(c)dA(c)s CVD assistA(c)s par plasma. Pour la simulation numA(c)rique, nous avons utilisA(c) la mA(c)thode de Monte Carlo. Le modA]le cinA(c)tique collisionnel choisi a permis d'A(c)tudier les phA(c)nomA]nes physico-chimiques et les propriA(c)tA(c)s collisionnelles dans le volume du rA(c)acteur et A la surface du substrat. Pour calculer les probabilitA(c)s de la rA(c)activitA(c) des radicaux SiHx avec la surface (SFRP), nous avons introduit un nouveau...