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Amélioration Des Performances Du Quartz
ISBN-13: 9786131557255 / Francuski / Miękka / 2018 / 168 str.
Parmi les matA(c)riaux piA(c)zoA(c)lectriques monocristallins, le quartz est le plus utilisA(c). Cependant ses performances intrinsA]ques atteignent leurs limites pour les applications A(c)mergentes. Des relations entre la distorsion structurale du matA(c)riau et ses propriA(c)tA(c)s physiques et piA(c)zoA(c)lectriques ont A(c)tA(c) A(c)tablies. Il en ressort que la substitution du silicium par du germanium au sein du rA(c)seau cristallin est une mA(c)thode prometteuse pour amA(c)liorer les propriA(c)tA(c)s du quartz, notamment le coefficient de couplage et la stabilitA(c) thermique de la phase de type quartz-alpha. Les cristaux Si1-xGexO2 obtenus par croissance hydrothermale sont caractA(c)risA(c)s par microsonde A(c)lectronique, spectroscopie Raman A haute tempA(c)rature (jusqu''A 1100AC) et diffraction des rayons X. L''affinement des paramA]tres structuraux montrent que le germanium en se substituant au silicium engendre une distorsion de la structure cristalline. Cette distorsion augmente avec la fraction atomique en Ge et a pour effet de stabiliser la phase de type quartz-alpha tout en rA(c)duisant le dA(c)sordre dynamique mAame A haute tempA(c)rature.
Parmi les matériaux piézoélectriques monocristallins, le quartz est le plus utilisé. Cependant ses performances intrinsèques atteignent leurs limites pour les applications émergentes. Des relations entre la distorsion structurale du matériau et ses propriétés physiques et piézoélectriques ont été établies. Il en ressort que la substitution du silicium par du germanium au sein du réseau cristallin est une méthode prometteuse pour améliorer les propriétés du quartz, notamment le coefficient de couplage et la stabilité thermique de la phase de type quartz-alpha. Les cristaux Si1-xGexO2 obtenus par croissance hydrothermale sont caractérisés par microsonde électronique, spectroscopie Raman à haute température (jusquà 1100°C) et diffraction des rayons X. Laffinement des paramètres structuraux montrent que le germanium en se substituant au silicium engendre une distorsion de la structure cristalline. Cette distorsion augmente avec la fraction atomique en Ge et a pour effet de stabiliser la phase de type quartz-alpha tout en réduisant le désordre dynamique même à haute température.
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