Le carbure de silicium (SiC) est un matA(c)riau semi-conducteur A large bande d'A(c)nergie interdite. Ce matA(c)riau possA]de des caractA(c)ristiques en tempA(c)rature et une tenue aux champs A(c)lectriques bien supA(c)rieures A celles du silicium. Les dispositifs A base de ce matA(c)riau (SiC) sont bien adaptA(c)s pour fonctionner dans des environnements A haute tempA(c)rature, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractA(c)ristiques permettent des amA(c)liorations significatives dans une grande variA(c)tA(c) d'applications et de systA]mes de puissance. Dans ce travail on...