Modélisation et Simulation Spice des Composants de Puissance : Etude des composants électronique de base en silicium et en carbure de silicium » książka
Modélisation et Simulation Spice des Composants de Puissance : Etude des composants électronique de base en silicium et en carbure de silicium
ISBN-13: 9783847389798 / Francuski / Miękka / 2016 / 148 str.
Modélisation et Simulation Spice des Composants de Puissance : Etude des composants électronique de base en silicium et en carbure de silicium
ISBN-13: 9783847389798 / Francuski / Miękka / 2016 / 148 str.
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Le carbure de silicium (SiC) est un matA(c)riau semi-conducteur A large bande d'A(c)nergie interdite. Ce matA(c)riau possA]de des caractA(c)ristiques en tempA(c)rature et une tenue aux champs A(c)lectriques bien supA(c)rieures A celles du silicium. Les dispositifs A base de ce matA(c)riau (SiC) sont bien adaptA(c)s pour fonctionner dans des environnements A haute tempA(c)rature, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractA(c)ristiques permettent des amA(c)liorations significatives dans une grande variA(c)tA(c) d'applications et de systA]mes de puissance. Dans ce travail on prA(c)sente des A(c)tudes analytiques comparatives des modA]les des composants A semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractA(c)ristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisA(c)s de diffA(c)rent constructeurs en raison d'A(c)laborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits d'A(c)lectronique de puissance de sA(c)lectionner le composant le plus adaptA(c) A leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.
Le carbure de silicium (SiC) est un matériau semi-conducteur à large bande d'énergie interdite. Ce matériau possède des caractéristiques en température et une tenue aux champs électriques bien supérieures à celles du silicium. Les dispositifs à base de ce matériau (SiC) sont bien adaptés pour fonctionner dans des environnements à haute température, haute puissance, haute tension et haute radiation. Ces caractéristiques permettent des améliorations significatives dans une grande variété d'applications et de systèmes de puissance. Dans ce travail on présente des études analytiques comparatives des modèles des composants à semi-conducteurs en SiC, ainsi que les principales caractéristiques statiques, dynamiques, et thermiques des meilleurs composants comme SiC-JFET, SiC diode Schottky et le SiC-MOSFET, de puissance commercialisés de différent constructeurs en raison d'élaborer un plan de choix guidant les concepteurs des circuits d'électronique de puissance de sélectionner le composant le plus adapté à leur cahier de charge selon leurs objectifs et selon les performances de leurs convertisseurs de puissance.
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