Jagadeesh Chandra, S.V., Kumar, Mallem, Ramana, V. V.
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein neuartiges gemischtes High-k-Gate-Dielektrikum, d.h. zirkoniumdotiertes Tantaloxid (Zr-dotiertes TaOx) und Hafnium-dotiertes Tantaloxid (Hf-dotiertes TaOx), wurde für künftige MOSFET-Anwendungen eingehend untersucht. Abscheidung eines neuen High-k-Gate-Dielektrikums durch Mischung von Ta2O5 mit ZrO2 und HfO2 mittels Co-Sputtertechnik, um die Anforderungen an thermodynamische Stabilität, einen großen Bereich der Übergangstemperatur von...
Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein...
Jagadeesh Chandra, S.V., Kumar, Mallem, Ramana, V. V.
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception de VLSI. Un nouveau matériau diélectrique de grille mixte à haute k, c'est-à-dire l'oxyde de tantale dopé au zirconium (TaOx dopé au Zr) et l'oxyde de tantale dopé au hafnium (TaOx dopé au Hf), a été étudié de manière approfondie pour les futures applications MOSFET. Dépôt d'un nouveau diélectrique de grille à k élevé par mélange de Ta2O5 avec du ZrO2 et du HfO2 en utilisant la technique de co-pulvérisation, afin...
Les diélectriques à haute permittivité et les substrats appropriés font l'objet d'études intensives en vue de leur utilisation dans la conception...
