Mit Zirkonium dotierte Tantaloxid-High-k-Dielektrikumsschichten für MOS-Bauelemente

ISBN-13: 9786205216972 / Miękka / 52 str.

S.V. Jagadeesh Chandra; Mallem Kumar; V. V. Ramana

Opis

Dielektrika mit hoher Dielektrizitätskonstante und geeignete Substrate werden im Hinblick auf ihre Verwendung im VLSI-Design intensiv untersucht. Ein neuartiges gemischtes High-k-Gate-Dielektrikum, d.h. zirkoniumdotiertes Tantaloxid (Zr-dotiertes TaOx) und Hafnium-dotiertes Tantaloxid (Hf-dotiertes TaOx), wurde für künftige MOSFET-Anwendungen eingehend untersucht. Abscheidung eines neuen High-k-Gate-Dielektrikums durch Mischung von Ta2O5 mit ZrO2 und HfO2 mittels Co-Sputtertechnik, um die Anforderungen an thermodynamische Stabilität, einen großen Bereich der Übergangstemperatur von amorph zu kristallin, eine große elektrische Bandlücke und eine große Energiebandbarriere mit Si für die ULSI-Ära zu erreichen. Es wurden umfangreiche Studien über den Herstellungsprozess und die Bauelementeigenschaften durchgeführt. Daher ist dieses Buch für die Leser nützlich, um einige wichtige Fragen zu gemischten High-k-Gate-Dielektrika für Hochfrequenzbauelemente zu klären.

O autorze

Dr. S.V. Jagadeesh Chandra, Professor, Fachbereich ECE, LBRCE, Mylavaram. Er hat 2 Bücher und 35 wissenschaftliche Artikel in Fachzeitschriften veröffentlicht. M. Kumar, Sungkyunkwan Universität, Südkorea. Er hat 02 internationale Artikel veröffentlicht. Dr. CH. V. V. Ramana, Universität von Johannesburg, Südafrika. Er veröffentlichte 05 Bücher, 01 Buchkapitel und 44 wissenschaftliche Artikel.