This text book is intended to take readers having only a minimal background and knowledge in device to the point at which they can model any short channel MOSFET.The readers will understand the utility of modeling any characteristic parameter of mosfet.The goal is to provide the most up-to-date information in the field. The text is reinforced with physical and intuitive explanations and necessary mathematical quantitative analysis.The book is meant for both undergraduate and post graduate students wanting to do research work in the device field.

Eingebettete Systeme sind in der modernen Welt allgegenwärtig. Solche Systeme werden in einer Vielzahl von Anwendungen eingesetzt, die von gewöhnlichen elektronischen Geräten für Verbraucher bis hin zu Anwendungen in der Automobil- und Luftfahrtindustrie reichen. Allen eingebetteten Systemen ist gemein, dass sie mit der physischen Umgebung interagieren und ihre Eingaben oft aus der Umgebung ableiten. Aufgrund der Anwendungsbereiche, in denen solche Systeme eingesetzt werden, wird ihr Verhalten häufig durch funktionale (z. B. die Input-Output-Beziehung) und nicht-funktionale Eigenschaften...

Dans ce livre, les techniques d'ingénierie de canal et d'ingénierie de grille sont combinées pour former de nouvelles structures de dispositifs proposées en tant que MOSFETs à grille simple-halo à double matériau (SHDMG) et à grille double-halo à double matériau (DHDMG). Les MOSFETs avancés sont dopés de manière non uniforme en raison d'un processus complexe. Par conséquent, l'un des facteurs clés pour modéliser les paramètres caractéristiques avec précision est de modéliser son profil de dopage non uniforme. Le livre présente également un potentiel de surface sous seuil...

In diesem Buch werden Kanal- und Gate-Techniken kombiniert, um neuartige Bauelementestrukturen zu bilden, die als Single-halo Dual Material Gate (SHDMG) und Double-halo Dual Material Gate (DHDMG) MOSFETs vorgeschlagen werden. Moderne MOSFETs sind aufgrund des komplexen Prozessablaufs ungleichmäßig dotiert. Daher ist einer der Schlüsselfaktoren für die genaue Modellierung der charakteristischen Parameter die Modellierung des ungleichmäßigen Dotierungsprofils. In diesem Buch wird auch ein analytisches Modell für das Oberflächenpotential unterhalb der Schwelle, die Schwellenspannung, den...

In diesem Buch liegt der Schwerpunkt auf der Modellierung und dem Einfluss von Verarmungsschichten um die Source- und Drain-Regionen auf die Sub-Threshold-Eigenschaften eines Kurzkanal-MOS-Transistors mit gleichmäßig dotiertem Kanal. Ein analytisches Modell für das Oberflächenpotential unter der Schwelle in einem Kurzkanal-MOS-Transistor wurde entwickelt, indem die pseduo-2D-Poisson-Gleichung gelöst wurde, die durch Anwendung des Gaußschen Gesetzes auf einen rechteckigen Kasten im Kanal formuliert wurde, der die gesamte Tiefe der Verarmungsschicht abdeckt. Mit dem Modell konnte ein...

In this book, the channel engineering and the gate engineering techniques are combined to form novel device structures proposed as Single-halo Dual Material Gate(SHDMG) and Double-halo Dual Material gate(DHDMG) MOSFETs. Advanced MOSFETs are non-uniformly doped as a result of complex process flow. Therefore, one of the key factors to model the characteristic parameters accurately is to model its non uniform doping profile. The book also presents an analytical sub threshold surface potential, threshold voltage, drift-diffusion theory based drain current and transconductance model for linear and...