RA(c)sumA(c) Ce travail a consistA(c) A caractA(c)riser des transistors bipolaires A hA(c)tA(c)rojonction par des mesures de bruit basse frA(c)quence (BF). Cette A(c)tude a portA(c) sur deux types de composants: des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancA(c)es. Les mesures de bruit basse frA(c)quence sont effectuA(c)es en fonction de la polarisation sur des transistors prA(c)sentant diffA(c)rents paramA]tres technologiques (surface d'A(c)metteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modA(c)liser le...