Bruit Basse Fréquence Dans Les Transistors Bipolaires À Hétérojonction » książka
Bruit Basse Fréquence Dans Les Transistors Bipolaires À Hétérojonction
ISBN-13: 9783838180113 / Francuski / Miękka / 2018 / 140 str.
RA(c)sumA(c) Ce travail a consistA(c) A caractA(c)riser des transistors bipolaires A hA(c)tA(c)rojonction par des mesures de bruit basse frA(c)quence (BF). Cette A(c)tude a portA(c) sur deux types de composants: des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancA(c)es. Les mesures de bruit basse frA(c)quence sont effectuA(c)es en fonction de la polarisation sur des transistors prA(c)sentant diffA(c)rents paramA]tres technologiques (surface d'A(c)metteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modA(c)liser le bruit en 1/f associA(c) au courant de base ce qui nous a permis d'extraire les paramA]tres SPICE utilisA(c)s dans les modA]les de simulation A(c)lectrique des circuits. Un facteur de mA(c)rite reliant les performances frA(c)quentielles et les performances en bruit BF a A(c)tA(c) proposA(c). Une A(c)tude de l'influence du stress A(c)lectrique sur des transistors Si/SiGe a A(c)tA(c) effectuA(c)e pour localiser les dA(c)fauts et les sources de bruit associA(c)es.
Résumé: Ce travail a consisté à caractériser des transistors bipolaires à hétérojonction par des mesures de bruit basse fréquence (BF). Cette étude a porté sur deux types de composants : des transistors Si/SiGe et Si/SiGeC issus de technologies BiCMOS avancées. Les mesures de bruit basse fréquence sont effectuées en fonction de la polarisation sur des transistors présentant différents paramètres technologiques (surface démetteur, profil du Germanium, ...) afin de pouvoir localiser et analyser les sources de bruit. Nous avons pu modéliser le bruit en 1/f associé au courant de base ce qui nous a permis dextraire les paramètres SPICE utilisés dans les modèles de simulation électrique des circuits. Un facteur de mérite reliant les performances fréquentielles et les performances en bruit BF a été proposé. Une étude de linfluence du stress électrique sur des transistors Si/SiGe a été effectuée pour localiser les défauts et les sources de bruit associées.
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