Le siliciure de nickel pur ou alliA(c) avec du platine est maintenant utilisA(c) comme contacts dans les technologies CMOS car il nA(c)cessite un plus faible budget thermique, possA]de une plus faible rA(c)sistivitA(c), consomme moins de silicium, a une formation contrAlA(c)e par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu rA(c)sistive sur SiGe, contrairement A son prA(c)dA(c)cesseur le siliciure de cobalt. MalgrA(c) ces avantages, un certains nombre de problA]mes restent liA(c)s A son intA(c)gration dans des dimensions dA(c)cananomA(c)triques. Au-delA d'une meilleure connaissance du...