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Intégration du siliciure de nickel
ISBN-13: 9783841788849 / Francuski / Miękka / 2018 / 228 str.
Le siliciure de nickel pur ou alliA(c) avec du platine est maintenant utilisA(c) comme contacts dans les technologies CMOS car il nA(c)cessite un plus faible budget thermique, possA]de une plus faible rA(c)sistivitA(c), consomme moins de silicium, a une formation contrAlA(c)e par la diffusion et permet d'obtenir une phase peu rA(c)sistive sur SiGe, contrairement A son prA(c)dA(c)cesseur le siliciure de cobalt. MalgrA(c) ces avantages, un certains nombre de problA]mes restent liA(c)s A son intA(c)gration dans des dimensions dA(c)cananomA(c)triques. Au-delA d'une meilleure connaissance du comportement en tempA(c)rature et des propriA(c)tA(c)s du siliciure de nickel en couches trA]s minces, l'objectif de cet ouvrage est d'amA(c)liorer notre connaissance du NiSi, pour l'intA(c)grer sur les noeuds technologiques infA(c)rieurs au 65nm, et de caractA(c)riser et d'A(c)ventuellement rA(c)soudre tous les dA(c)fis relatifs A l'intA(c)gration de ce nouveau matA(c)riau dans un environnement toujours plus dense. L'ensemble des rA(c)sultats et des caractA(c)risations rA(c)alisA(c)es ont permis de proposer un scA(c)nario de formation de l'intrusion du siliciure dans le canal. Ce livre s'adresse principalement aux A(c)tudiants, professeurs et chercheurs en micro et nano-A(c)lectronique.
Le siliciure de nickel pur ou allié avec du platine est maintenant utilisé comme contacts dans les technologies CMOS car il nécessite un plus faible budget thermique, possède une plus faible résistivité, consomme moins de silicium, a une formation contrôlée par la diffusion et permet dobtenir une phase peu résistive sur SiGe, contrairement à son prédécesseur le siliciure de cobalt. Malgré ces avantages, un certains nombre de problèmes restent liés à son intégration dans des dimensions décananométriques. Au-delà dune meilleure connaissance du comportement en température et des propriétés du siliciure de nickel en couches très minces, lobjectif de cet ouvrage est daméliorer notre connaissance du NiSi, pour lintégrer sur les nœuds technologiques inférieurs au 65nm, et de caractériser et déventuellement résoudre tous les défis relatifs à lintégration de ce nouveau matériau dans un environnement toujours plus dense. Lensemble des résultats et des caractérisations réalisées ont permis de proposer un scénario de formation de lintrusion du siliciure dans le canal. Ce livre sadresse principalement aux étudiants, professeurs et chercheurs en micro et nano-électronique.
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