Sozdanie vysokochuvstvitelnykh magnitnykh sensorov i priborov spintroniki, rabotayushchikh pri komnatnoy temperature, yavlyaetsya aktualnoy problemoy fiziki magnetizma. Eta problema mozhet byt reshena polnostyu ili chastichno s pomoshchyu effekta gigantskogo inzhektsionnogo magnitosoprotivleniya (IMR-effekta), obnaruzhennogo v 2005 godu na geterostrukturakh, sostoyashchikh iz plenki SiO2 s nanochastitsami Co na arsenide galliya - SiO2(Co)/GaAs. IMR-effekt proyavlyaetsya pri inzhektsii elektronov iz SiO2(Co) v GaAs i dostigaet ekstremalno bolshikh znacheniy 100000% pri komnatnoy temperature....