ISBN-13: 9783659439643 / Rosyjski / Miękka / 2013 / 116 str.
Sozdanie vysokochuvstvitelnykh magnitnykh sensorov i priborov spintroniki, rabotayushchikh pri komnatnoy temperature, yavlyaetsya aktualnoy problemoy fiziki magnetizma. Eta problema mozhet byt reshena polnostyu ili chastichno s pomoshchyu effekta gigantskogo inzhektsionnogo magnitosoprotivleniya (IMR-effekta), obnaruzhennogo v 2005 godu na geterostrukturakh, sostoyashchikh iz plenki SiO2 s nanochastitsami Co na arsenide galliya - SiO2(Co)/GaAs. IMR-effekt proyavlyaetsya pri inzhektsii elektronov iz SiO2(Co) v GaAs i dostigaet ekstremalno bolshikh znacheniy 100000% pri komnatnoy temperature. Predstavlennaya teoreticheskaya model ob"yasnyaet effekt deystviem magnitoupravlyaemogo spin-zavisimogo barera, sformirovannogo v interfeysnoy oblasti poluprovodnika. Na osnove IMR-effekta vozmozhno sozdanie vysokochuvstvitelnykh sensorov i inzhektorov spin-polyarizovannykh elektronov v spintronnykh priborakh. Rassmotreno vliyanie sveta na provodimost SiO2(Co)/GaAs i opisany dva novykh yavleniya - otritsatelnaya fotoprovodimost i usilenie fototoka v magnitnom pole, kotorye mogut nayti primenenie v lavinnykh fotodiodakh. Monografiya rasschitana na studentov, aspirantov i nauchnykh rabotnikov, spetsializiruyushchikhsya v oblasti fiziki magnitnykh yavleniy.