Die homogene Beschichtung von Substraten mit widerstands-fahigen Maskenmaterialien ist ein Schlusselschritt in der Halbleitertechnologie. Dieses Buch befasst sich mit dem okonomisch vorteilhaften Spin-Coating-Verfahren zur Applikation von geeigneten Zirkoniumdioxid-Schichten auf 300 mm Silizium-Wafern. Ausgehend von flussigen Solen werden uber Sol-Gel-Transformation feste Schichten erhalten, deren Eigenschaften fur die Anwendung einstellbar sind. Mittels der entwickelten Beschichtungsstrategien sind nanokristalline Zirkoniumdioxid-Filme zuganglich, deren ausgezeichnete Dichte- und...
Die homogene Beschichtung von Substraten mit widerstands-fahigen Maskenmaterialien ist ein Schlusselschritt in der Halbleitertechnologie. Dieses Buch ...