Cette thA]se s''inscrit dans la thA(c)matique des MRAM, nouvelles mA(c)moires non volatiles utilisant des propriA(c)tA(c)s originales de l''A(c)lectronique de spin. Le but de ce travail a A(c)tA(c) principalement de dA(c)montrer qu''un nouveau concept de MRAM A(c)tait possible afin de passer outre les limitations imposA(c)es par chacune des gA(c)nA(c)rations dA(c)jA existantes (TA-MRAM et STT-RAM). Pour cela, leurs avantages respectifs ont A(c)tA(c) combinA(c)s, A savoir la stabilitA(c) thermique pour la TA-MRAM et l''A(c)criture sans champ magnA(c)tique pour la STT-RAM. C''est ainsi qu''a...