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La Mram, Nouvelle Mémoire Non Volatile » książka

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Kategorie szczegółowe BISAC

La Mram, Nouvelle Mémoire Non Volatile

ISBN-13: 9786131572098 / Francuski / Miękka / 2018 / 144 str.

J. R. My Alvarez-H Rault
La Mram, Nouvelle Mémoire Non Volatile Alvarez-Herault-J 9786131572098 Editions Universitaires Europeennes - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

La Mram, Nouvelle Mémoire Non Volatile

ISBN-13: 9786131572098 / Francuski / Miękka / 2018 / 144 str.

J. R. My Alvarez-H Rault
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Cette thA]se s''inscrit dans la thA(c)matique des MRAM, nouvelles mA(c)moires non volatiles utilisant des propriA(c)tA(c)s originales de l''A(c)lectronique de spin. Le but de ce travail a A(c)tA(c) principalement de dA(c)montrer qu''un nouveau concept de MRAM A(c)tait possible afin de passer outre les limitations imposA(c)es par chacune des gA(c)nA(c)rations dA(c)jA existantes (TA-MRAM et STT-RAM). Pour cela, leurs avantages respectifs ont A(c)tA(c) combinA(c)s, A savoir la stabilitA(c) thermique pour la TA-MRAM et l''A(c)criture sans champ magnA(c)tique pour la STT-RAM. C''est ainsi qu''a A(c)tA(c) donnA(c)e au cours de cette A(c)tude la premiA]re dA(c)monstration de STT-TA- MRAM ainsi qu''une optimisation de ses propriA(c)tA(c)s grA ce une structure amA(c)liorA(c)e. Le retournement de la couche de stockage par couple de transfert de spin a donc A(c)tA(c) au centre de ces recherches. Un montage expA(c)rimental innovant a A(c)galement permis d''observer le retournement de l''aimantation en temps rA(c)el dans le but de mieux comprendre la physique de l''A(c)criture. Enfin, la problA(c)matique de la durA(c)e de vie des barriA]res tunnel a A(c)tA(c) abordA(c)e montrant que celles-ci claquent plus lentement que prA(c)vu pour les impulsions courtes.

Cette thèse sinscrit dans la thématique des MRAM, nouvelles mémoires non volatiles utilisant des propriétés originales de lélectronique de spin. Le but de ce travail a été principalement de démontrer quun nouveau concept de MRAM était possible afin de passer outre les limitations imposées par chacune des générations déjà existantes (TA-MRAM et STT-RAM). Pour cela, leurs avantages respectifs ont été combinés, à savoir la stabilité thermique pour la TA-MRAM et lécriture sans champ magnétique pour la STT-RAM. Cest ainsi qua été donnée au cours de cette étude la première démonstration de STT-TA- MRAM ainsi quune optimisation de ses propriétés grâce une structure améliorée. Le retournement de la couche de stockage par couple de transfert de spin a donc été au centre de ces recherches. Un montage expérimental innovant a également permis dobserver le retournement de laimantation en temps réel dans le but de mieux comprendre la physique de lécriture. Enfin, la problématique de la durée de vie des barrières tunnel a été abordée montrant que celles-ci claquent plus lentement que prévu pour les impulsions courtes.

Kategorie:
Nauka, Fizyka
Kategorie BISAC:
Science > Fizyka
Literary Criticism > General
Wydawca:
Editions Universitaires Europeennes
Język:
Francuski
ISBN-13:
9786131572098
Rok wydania:
2018
Ilość stron:
144
Waga:
0.22 kg
Wymiary:
22.91 x 15.19 x 0.86
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

Jérémy Alvarez-Hérault a obtenu un diplôme d'ingénieur Grenoble INP et un Master en Physique de la Matière Condensée et du Rayonnement à l'Université Joseph Fourier en 2007. Il a ensuite effectué sa thèse de doctorat au laboratoire Spintec. Il travaille depuis 2010 chez Crocus Technology qui développe des applications à base de MRAM.



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