Ces travaux de recherche se rapportent a l'etude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une etude des caracteristiques des materiaux grand gap et plus particulierement du GaN est realisee afin de mettre en exergue l'adequation de leurs proprietes pour des applications de puissance hyperfrequence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des resultats de caracterisations et modelisations electriques de composants passifs et actifs sont presentes. Les composants passifs dedies aux conceptions de circuits MMIC sont decrits et...