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Électronique des hautes fréquences
ISBN-13: 9786131550058 / Francuski / Miękka / 2018 / 232 str.
Ces travaux de recherche se rapportent a l'etude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour l'amplification de puissance micro-onde. Une etude des caracteristiques des materiaux grand gap et plus particulierement du GaN est realisee afin de mettre en exergue l'adequation de leurs proprietes pour des applications de puissance hyperfrequence telle que l'amplification large bande. Dans ce contexte, des resultats de caracterisations et modelisations electriques de composants passifs et actifs sont presentes. Les composants passifs dedies aux conceptions de circuits MMIC sont decrits et differentes methodes d'optimisation que ce soit au niveau electrique ou electromagnetique sont explicitees. Les modeles non lineaires de transistors impliques dans nos conceptions sont de meme detailles. Le fruit de ces travaux concerne la conception d'amplificateurs distribues de puissance large bande a base de cellules cascode de HEMTs GaN, l'un etant reportes en flip-chip sur un substrat d'AlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet d'atteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz a 2dB de compression. Ces resultats revelent les fortes potentialites attendues des composants HEMTs GaN."
Ces travaux de recherche se rapportent à létude de transistors HEMTs en Nitrure de Gallium pour lamplification de puissance micro-onde. Une étude des caractéristiques des matériaux grand gap et plus particulièrement du GaN est réalisée afin de mettre en exergue ladéquation de leurs propriétés pour des applications de puissance hyperfréquence telle que lamplification large bande. Dans ce contexte, des résultats de caractérisations et modélisations électriques de composants passifs et actifs sont présentés. Les composants passifs dédiés aux conceptions de circuits MMIC sont décrits et différentes méthodes doptimisation que ce soit au niveau électrique ou électromagnétique sont explicitées. Les modèles non linéaires de transistors impliqués dans nos conceptions sont de même détaillés. Le fruit de ces travaux concerne la conception damplificateurs distribués de puissance large bande à base de cellules cascode de HEMTs GaN, lun étant reportés en flip-chip sur un substrat dAlN, le second en technologie MMIC. La version MMIC permet datteindre 6.3W sur la bande 4-18GHz à 2dB de compression. Ces résultats révèlent les fortes potentialités attendues des composants HEMTs GaN.
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