Ce memoire traite de la fiabilite des composants MOS et des oxydes SiO2 ultra-minces. Le courant de fuite dans l'oxyde du aux contraintes electriques est modelise par un effet tunnel assiste par defauts, le claquage mou (soft-breakdown) par un amincissement local de l'oxyde et les fuites a basse tension comme un effet tunnel via des etats d'interface. Les degradations suivent une loi d'acceleration en VG et la probabilite de creation de defauts est obtenue en fonction de l'energie des porteurs. Puis la fiabilite du transistor lors de stress AC en porteurs chauds a ete etudiee. L'estimation...