Le transistor A ionisation par impact (I-MOS) est une nouvelle architecture prA(c)sentant l'avantage de s'affranchir de la barriA]re des 60mV/dec A tempA(c)rature ambiante, qui limite la pente sous le seuil de l'architecture MOSFET classique. Le I-MOS se prA(c)sente comme une diode PiN dont la zone intrinsA]que est partiellement recouverte par une grille. L'objectif de cette thA]se est d'A(c)valuer les performances du I-MOS comme candidat potentiel A A l'aprA]s CMOS A, A la fois du point de vue du dispositif unitaire et dans un environnement circuit. Nous avons fabriquA(c) nos dispositifs sur...