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La conception, la puissance totale, la puissance statique, la puissance dynamique, le temps transitoire, le délai transitoire et le courant statique dans les cellules SRAM 8T et 10T sont calculés et comparés. La SRAM 8T a le plus petit nombre de transistors et la plus petite surface efficace, mais la vitesse de fonctionnement est quelque peu réduite. En outre, l'augmentation du nombre de transistors dans la cellule SRAM 10T rend la surface et le retard importants à température ambiante. Lorsque la température augmente à partir d'une certaine valeur, la cellule SRAM 10T est plus...