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Dieses Buch enthält eine umfassende experimentelle Studie über das Verhalten von SiC-JFET-Transistoren für anspruchsvolle Anwendungen in der Luftfahrt. Wir beschreiben eine umfassende Methodik, die das Design eines automatisierten Prüfstandes über LabView, die Durchführung von Robustheitstests zur Bestimmung der kritischen Energie sowie beschleunigte Alterungsversuche zur Verfolgung der Entwicklung der elektrischen Parameter umfasst. Die Ergebnisse zeigen zuverlässige Degradationsindikatoren auf und eröffnen interessante Perspektiven für die Konzeption von widerstandsfähigeren...

Cet ouvrage présente une étude expérimentale approfondie du comportement des transistors JFET SiC destinés aux applications aéronautiques exigeantes. Nous y décrivons une méthodologie complète incluant la conception d'un banc d'essais automatisé via LabView, la réalisation de tests de robustesse pour déterminer l'énergie critique, ainsi que des essais de vieillissement accéléré permettant de suivre l'évolution des paramètres électriques. Les résultats obtenus mettent en évidence des indicateurs de dégradation fiables et ouvrent des perspectives intéressantes pour la...

This book presents an in-depth experimental study of the behavior of SiC JFET transistors for demanding aerospace applications. A complete methodology is described, including the design of an automated test bench via LabView, robustness tests to determine the critical energy, and accelerated aging tests to monitor the evolution of electrical parameters. The results obtained highlight reliable degradation indicators and open up interesting prospects for the design of more resistant electronic systems in extreme environments.