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wyszukanych pozycji: 7
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SRAM CMOS Progettazione e analisi di una cella SRAM a bassa perdita e ad alta velocità
ISBN: 9786208332020 / Włoski / Miękka / 2024 / 88 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
246,14 zł |
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CMOS SRAM Razrabotka i analiz qchejki SRAM s nizkim urownem utechki i wysokoj skorost'ü raboty
ISBN: 9786208332013 / Rosyjski / Miękka / 92 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
246,14 zł |
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CMOS SRAM Projeto e análise de uma célula SRAM de baixa fuga e alta velocidade
ISBN: 9786208332068 / Portugalski / Miękka / 2024 / 88 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
246,14 zł |
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CMOS SRAM Conception et analyse d'une cellule SRAM à faible fuite et à grande vitesse
ISBN: 9786208332006 / Francuski / Miękka / 2024 / 88 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place qu'une cellule SRAM 6T conventionnelle. Le courant de fuite de cette cellule est très faible par rapport aux autres cellules 5T ou 6T conventionnelles. Un circuit de précharge est nécessaire pour cette cellule, comme c'est le cas pour la cellule SRAM 6T conventionnelle. Cette cellule est également économe en énergie. Les résultats montrent également que les données stockées dans cette cellule sont très stables. Il est toujours...
Ce travail présente une nouvelle cellule SRAM 5T et 6T à extrémité unique. Ce transistor est une cellule à haute densité ou prend moins de place...
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cena:
246,14 zł |
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CMOS SRAM Entwurf und Analyse von SRAM-Zellen mit geringem Leckstrom und hoher Geschwindigkeit
ISBN: 9786208331986 / Niemiecki / Miękka / 2024 / 88 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger Fläche ein als eine herkömmliche 6T-SRAM-Zelle. Der Leckstrom dieser Zelle ist im Vergleich zu anderen 5T- oder herkömmlichen 6T-Zellen sehr niedrig. Für diese Zelle ist wie bei einer herkömmlichen 6T-SRAM-Zelle eine Vorladeschaltung erforderlich. Diese Zelle ist außerdem energieeffizient. Die Ergebnisse zeigen außerdem, dass die in dieser Zelle gespeicherten Daten äußerst stabil sind. Bei jeder Art von Schaltkreis oder Anwendung gibt...
In dieser Arbeit wird die neuartige einseitige 5T- und 6T-SRAM-Zelle vorgestellt. Dieser Transistor ist eine Zelle mit hoher Dichte oder nimmt weniger...
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cena:
246,14 zł |
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CMOS SRAM Design and analysis of low leakage and high speed SRAM cell
ISBN: 9783659861116 / Angielski / Miękka / 2016 / 108 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) |
cena:
246,14 zł |
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Thermodynamic Crystal Analysis
ISBN: 9783659763762 / Angielski / Miękka / 2015 / 76 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami) In the present book, a comprehensive study of the crystals using various thermodynamic relations and equation of states has been done.This is a research oriented book helpful for the students of Crystallography and Material Study and for scientists, engineers and students who are working with empirical equations of state and thermodynamic approximations.In this work, the proper analysis of high pressure, high temperature properties of different crystals is done that can be used to acknowledge the research in different regions.This book gives a brief preview of various equations of state that...
In the present book, a comprehensive study of the crystals using various thermodynamic relations and equation of states has been done.This is a resear...
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cena:
178,89 zł |
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