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Die in integrierten Schaltkreisen hergestellten Feldeffekttransistoren (FETs) bestehen zum größten Teil aus Übergängen. Aufgrund der Verkleinerung der Bauteile ist die Herstellung dieser Übergänge immer schwieriger geworden. Außerdem ist für das reibungslose Funktionieren des Bauelements ein hoher Dotierungskonzentrationsgradient zwingend erforderlich. In letzter Zeit konzentrieren sich die Forscher auf neue Bauelemente, die ohne Übergänge auskommen und keinen Dotierungsgradienten erfordern. Eine solche Struktur ist der übergangslose Doppel-Gate-MOSFET (JL-DG MOSFET), der eine...

Les transistors à effet de champ (FET) fabriqués dans les circuits intégrés comportent principalement des jonctions. En raison de la réduction de l'échelle des dispositifs, la fabrication de ces jonctions est devenue progressivement plus difficile. En outre, il est impératif d'avoir un gradient de concentration de dopage élevé pour le bon fonctionnement du dispositif. Récemment, les chercheurs se sont concentrés sur de nouveaux dispositifs sans jonction et sans gradient de dopage. L'une de ces structures est le MOSFET à double grille sans jonction (JL-DG MOSFET) qui a montré une...