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Diese Arbeit stellt ein zweidimensionales Berechnungsmodell der Kathodolumineszenz-Intensität (CL) vor, das die laterale und Tiefenstreuung der erzeugten Träger, die interne Absorption (Alpha), die Erzeugungsrate, die Mechanismen der intrinsischen und extrinsischen Strahlungsrekombination und die experimentellen Bedingungen der Elektronenanregung berücksichtigt. Eine experimentelle Studie zu GaN unter Verwendung dieser Technik wird vorgestellt, gefolgt von einem Vergleich und einer Validierung. Die Untersuchung des Einflusses einiger physikalischer Parameter wie Streulänge,...

Ce travail prA(c)sente un modA]le de calcul bidimensionnel de l'intensitA(c) de la cathodoluminescence (CL) qui tient compte de la diffusion latA(c)rale et en profondeur des porteurs gA(c)nA(c)rA(c)s, de l'absorption interne (alpha), du taux de la gA(c)nA(c)ration, des mA(c)canismes de recombinaisons radiatives intrinsA]ques et extrinsA]ques ainsi des conditions expA(c)rimentales de l'excitation A(c)lectronique. On prA(c)sente une A(c)tude expA(c)rimentale sur GaN par cette technique suivie d'une comparaison et validation. L'A(c)tude de l'influence de quelques paramA]tres physiques tels que...