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In elektronischen Schaltungen mit niedrigem Stromverbrauch und hoher Geschwindigkeit werden Bauelemente mit steileren Kennlinien benötigt. Die Geschwindigkeit des Bauelements steigt mit steileren IV-Charakteristiken, und eine niedrige Leistung wird durch den Betrieb des Bauelements im Unterschwellenbereich erreicht. Die Messung der Ströme im Unterschwellenbereich stellt eine große Herausforderung dar. Um eine hohe Schaltleistung zu erreichen, müssen wir ein neues Bauelement vorschlagen, das die Vorteile von FinFET und TFET vereint. In dieser Arbeit wird ein hybrides Bauelement mit einem...

Dans les circuits électroniques à haute vitesse et à faible consommation d'énergie, il est nécessaire d'utiliser des dispositifs présentant des caractéristiques plus abruptes. La vitesse du dispositif augmente avec des caractéristiques IV plus raides, et une faible puissance est obtenue en faisant fonctionner le dispositif dans la région du sous-seuil. La mesure des courants dans la région du sous-seuil est un grand défi. Pour obtenir une commutation élevée, nous devons proposer un nouveau dispositif combinant les avantages du FinFET et du TFET. Cette thèse propose un dispositif...

In low-power-high-speed electronic circuits, devices with steeper characteristics are required. The device's speed increases with steeper IV characteristics, and low power is achieved through operating the device in the subthreshold region. The measurement of currents in the subthreshold region is a big challenge. To achieve high switching, we need to propose a new device with the combined advantages of FinFET and TFET. This thesis proposed a hybrid device with an SS value < 25 mV/Dec. Synopsis Centaurus TCAD is used in this thesis for device modelling and characterisation.