• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

A Pulla Reddy » książki

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2949965]
• Literatura piękna
 [1857847]

  więcej...
• Turystyka
 [70818]
• Informatyka
 [151303]
• Komiksy
 [35733]
• Encyklopedie
 [23180]
• Dziecięca
 [617748]
• Hobby
 [139972]
• AudioBooki
 [1650]
• Literatura faktu
 [228361]
• Muzyka CD
 [398]
• Słowniki
 [2862]
• Inne
 [444732]
• Kalendarze
 [1620]
• Podręczniki
 [167233]
• Poradniki
 [482388]
• Religia
 [509867]
• Czasopisma
 [533]
• Sport
 [61361]
• Sztuka
 [243125]
• CD, DVD, Video
 [3451]
• Technologie
 [219309]
• Zdrowie
 [101347]
• Książkowe Klimaty
 [123]
• Zabawki
 [2362]
• Puzzle, gry
 [3791]
• Literatura w języku ukraińskim
 [253]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7933]
Kategorie szczegółowe BISAC

Wyniki wyszukiwania:

wyszukanych pozycji: 7

Dostępność:
Kategoria:
Dostępny język:
Cena:
od:
do:
ilość na stronie:


 SRAM-Design in Nanometer-Technologien A., Pulla Reddy, G., Sreenivasulu 9786206905707
SRAM-Design in Nanometer-Technologien

ISBN: 9786206905707 / Niemiecki / Miękka / 132 str.

ISBN: 9786206905707/Niemiecki/Miękka/132 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami)
Pulla Reddy A.; Sreenivasulu G.
Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur...
Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige...
cena: 273,04 zł

 SRAM Design in Nanometer Technologies A, Pulla Reddy, G, Sreenivasulu 9786206844730
SRAM Design in Nanometer Technologies

ISBN: 9786206844730 / Angielski / Miękka / 120 str.

ISBN: 9786206844730/Angielski/Miękka/120 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami)
Pulla Reddy A; Sreenivasulu G
In the design of VLSI, where an improvement in minimum supply voltage and a change in few Pico seconds of memory access or cycle times will make a big impact on SoC designs performance. SRAM cell write-ability and read stability are of prime concern at low supply voltages and also for process, voltage and temperature variations. When low supply voltage is applied to SRAM cell, the write operation will not be performed because the cell will not flip to desired voltage levels. A write assist circuit using a negative bitline voltage technique which can assist SRAM cell to flip to the desired...
In the design of VLSI, where an improvement in minimum supply voltage and a change in few Pico seconds of memory access or cycle times will make a big...
cena: 273,04 zł

 Conception de SRAM dans les technologies nanométriques A., Pulla Reddy, G., Sreenivasulu 9786206905721
Conception de SRAM dans les technologies nanométriques

ISBN: 9786206905721 / Francuski / Miękka / 128 str.

ISBN: 9786206905721/Francuski/Miękka/128 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami)
Pulla Reddy A.; Sreenivasulu G.
Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mémoire ou de temps de cycle auront un impact important sur les performances des conceptions de SoC. La capacité d'écriture et la stabilité de lecture de la cellule SRAM sont une préoccupation majeure à faible tension d'alimentation, ainsi que pour les variations de processus, de tension et de température. Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération d'écriture ne sera pas effectuée car la...
Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mém...
cena: 273,04 zł

 Progettazione di SRAM in tecnologie nanometriche A., Pulla Reddy, G., Sreenivasulu 9786206905738
Progettazione di SRAM in tecnologie nanometriche

ISBN: 9786206905738 / Włoski / Miękka / 128 str.

ISBN: 9786206905738/Włoski/Miękka/128 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami)
Pulla Reddy A.; Sreenivasulu G.
cena: 273,04 zł

 Conceção de SRAM em tecnologias nanométricas A., Pulla Reddy, G., Sreenivasulu 9786206905691
Conceção de SRAM em tecnologias nanométricas

ISBN: 9786206905691 / Portugalski / Miękka / 128 str.

ISBN: 9786206905691/Portugalski/Miękka/128 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami)
Pulla Reddy A.; Sreenivasulu G.
cena: 273,04 zł

 Proektirowanie SRAM w nanometrowyh tehnologiqh A., Pulla Reddy, G., Sreeniwasulu 9786206905745
Proektirowanie SRAM w nanometrowyh tehnologiqh

ISBN: 9786206905745 / Rosyjski / Miękka / 136 str.

ISBN: 9786206905745/Rosyjski/Miękka/136 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami)
Pulla Reddy A.; Sreeniwasulu G.
cena: 273,04 zł

 Power Quality Improvement Using Unified Power Quality Controller Reddy, A.V. Sudhakara, Jagan Mohan, V.C., Reddy, A. Pulla 9783330075498
Power Quality Improvement Using Unified Power Quality Controller

ISBN: 9783330075498 / Angielski / Miękka / 76 str.

ISBN: 9783330075498/Angielski/Miękka/76 str.

Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych (Bez gwarancji dostawy przed świętami)
A.V. Sudhakara Reddy; V.C. Jagan Mohan; A. Pulla Reddy
The L-C series-filter and passive double-resonant circuits (PDR) are then discussed, along with the key circuit components of the design, the series inductor (LL) circuit, the PDR passive low-pass, and the passive double resonant circuit design for applying the induct filtering. After all, the proof of results in the high voltage delivery validation using UPQC in MATLAB/Simulink, IHUPQC has been demonstrated, 10kV distribution now is supported. With these effects, it being effective in regulating voltage and current and dynamic power generation, the simulation results show the performance of...
The L-C series-filter and passive double-resonant circuits (PDR) are then discussed, along with the key circuit components of the design, the series i...
cena: 178,89 zł


Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia