topmenu
Wyniki wyszukiwania:
wyszukanych pozycji: 7
 |
Proektirowanie SRAM w nanometrowyh tehnologiqh
ISBN: 9786206905745 / Rosyjski / Miękka / 136 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
279,44 zł |
| |
Conception de SRAM dans les technologies nanométriques
ISBN: 9786206905721 / Francuski / Miękka / 128 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mémoire ou de temps de cycle auront un impact important sur les performances des conceptions de SoC. La capacité d'écriture et la stabilité de lecture de la cellule SRAM sont une préoccupation majeure à faible tension d'alimentation, ainsi que pour les variations de processus, de tension et de température. Lorsqu'une faible tension d'alimentation est appliquée à une cellule SRAM, l'opération d'écriture ne sera pas effectuée car la...
Dans la conception de VLSI, où une amélioration de la tension d'alimentation minimale et un changement de quelques Pico secondes d'accès à la mém...
|
cena:
279,44 zł |
| |
Conceção de SRAM em tecnologias nanométricas
ISBN: 9786206905691 / Portugalski / Miękka / 128 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
279,44 zł |
| |
SRAM Design in Nanometer Technologies
ISBN: 9786206844730 / Angielski / Miękka / 120 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. In the design of VLSI, where an improvement in minimum supply voltage and a change in few Pico seconds of memory access or cycle times will make a big impact on SoC designs performance. SRAM cell write-ability and read stability are of prime concern at low supply voltages and also for process, voltage and temperature variations. When low supply voltage is applied to SRAM cell, the write operation will not be performed because the cell will not flip to desired voltage levels. A write assist circuit using a negative bitline voltage technique which can assist SRAM cell to flip to the desired...
In the design of VLSI, where an improvement in minimum supply voltage and a change in few Pico seconds of memory access or cycle times will make a big...
|
cena:
279,44 zł |
| |
SRAM-Design in Nanometer-Technologien
ISBN: 9786206905707 / Niemiecki / Miękka / 132 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige Pico-Sekunden einen großen Einfluss auf die Leistung von SoC-Designs haben. Die Schreib- und Lesestabilität von SRAM-Zellen ist bei niedrigen Versorgungsspannungen und auch bei Prozess-, Spannungs- und Temperaturschwankungen von größter Bedeutung. Wenn eine niedrige Versorgungsspannung an die SRAM-Zelle angelegt wird, kann der Schreibvorgang nicht durchgeführt werden, da die Zelle nicht auf die gewünschten Spannungspegel kippen kann. Zur...
Bei der Entwicklung von VLSI, wo eine Verbesserung der Mindestversorgungsspannung und eine Änderung der Speicherzugriffs- oder Zykluszeiten um einige...
|
cena:
279,44 zł |
| |
Progettazione di SRAM in tecnologie nanometriche
ISBN: 9786206905738 / Włoski / Miękka / 128 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. |
cena:
279,44 zł |
 |
Power Quality Improvement Using Unified Power Quality Controller
ISBN: 9783330075498 / Angielski / Miękka / 76 str. Termin realizacji zamówienia: ok. 10-14 dni roboczych. The L-C series-filter and passive double-resonant circuits (PDR) are then discussed, along with the key circuit components of the design, the series inductor (LL) circuit, the PDR passive low-pass, and the passive double resonant circuit design for applying the induct filtering. After all, the proof of results in the high voltage delivery validation using UPQC in MATLAB/Simulink, IHUPQC has been demonstrated, 10kV distribution now is supported. With these effects, it being effective in regulating voltage and current and dynamic power generation, the simulation results show the performance of...
The L-C series-filter and passive double-resonant circuits (PDR) are then discussed, along with the key circuit components of the design, the series i...
|
cena:
183,08 zł |
Czytaj nas na:
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
