• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Transport Simulation in Microelectronics » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2939893]
• Literatura piękna
 [1808953]

  więcej...
• Turystyka
 [70366]
• Informatyka
 [150555]
• Komiksy
 [35137]
• Encyklopedie
 [23160]
• Dziecięca
 [608786]
• Hobby
 [136447]
• AudioBooki
 [1631]
• Literatura faktu
 [225099]
• Muzyka CD
 [360]
• Słowniki
 [2914]
• Inne
 [442115]
• Kalendarze
 [1068]
• Podręczniki
 [166599]
• Poradniki
 [468390]
• Religia
 [506548]
• Czasopisma
 [506]
• Sport
 [61109]
• Sztuka
 [241608]
• CD, DVD, Video
 [3308]
• Technologie
 [218981]
• Zdrowie
 [98614]
• Książkowe Klimaty
 [124]
• Zabawki
 [2174]
• Puzzle, gry
 [3275]
• Literatura w języku ukraińskim
 [260]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7376]
Kategorie szczegółowe BISAC

Transport Simulation in Microelectronics

ISBN-13: 9783034898980 / Angielski / Miękka / 2011 / 240 str.

Alfred Kersch; William J. Morokoff
Transport Simulation in Microelectronics Alfred Kersch William J. Morokoff 9783034898980 Birkh User - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Transport Simulation in Microelectronics

ISBN-13: 9783034898980 / Angielski / Miękka / 2011 / 240 str.

Alfred Kersch; William J. Morokoff
cena 201,24
(netto: 191,66 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 192,74
Termin realizacji zamówienia:
ok. 22 dni roboczych.

Darmowa dostawa!

Computer simulation of semiconductor processing equipment and devices requires the use of a wide variety of numerical methods. Of these methods, the Monte Carlo approach is perhaps most fundamentally suited to mod eling physical events occurring on microscopic scales which are intricately connected to the particle structure of nature. Here physical phenomena can be simulated by following simulation particles (such as electrons, molecules, photons, etc. ) through a statistical sampling of scattering events. Monte Carlo is, however, generally looked on as a last resort due to the extremely slow convergence of these methods. It is of interest, then, to examine when in microelectronics it is necessary to use Monte Carlo methods, how such methods may be improved, and what are the alternatives. This book ad dresses three general areas of simulation which frequently arise in semicon ductor modeling where Monte Carlo methods playa significant role. In the first chapter the basic mathematical theory of the Boltzmann equation for particle transport is presented. The following chapters are devoted to the modeling of the transport processes and the associated Monte Carlo meth ods. Specific examples of industrial applications illustrate the effectiveness and importance of these methods. Two of these areas concern simulation of physical particles which may be assigned a time dependent position and velocity. This includes the molecules of a dilute gas used in such processing equipment as chemi cal vapor decomposition reactors and sputtering reactors. We also consider charged particles moving within a semiconductor lattice."

Kategorie:
Nauka, Matematyka
Kategorie BISAC:
Technology & Engineering > Electronics - General
Science > Fizyka
Mathematics > Systemy liczbowe
Wydawca:
Birkh User
Seria wydawnicza:
Progress in Numerical Simulation for Microelectronics
Język:
Angielski
ISBN-13:
9783034898980
Rok wydania:
2011
Wydanie:
Softcover Repri
Numer serii:
000170853
Ilość stron:
240
Waga:
0.33 kg
Wymiary:
22.86 x 15.24 x 1.32
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

Content.- 1 The Boltzmann Equation.- 1.1 The Liouville Equation.- 1.2 Rarefied Gases.- 1.2.1 Equilibrium.- 1.2.2 Knudsen Number and Fluid Equations.- 1.2.3 Multiple Species.- 1.2.4 Boundary Conditions.- 1.3 Radiation Transport.- 1.3.1 The Radiation Transport Equation.- 1.3.2 Boundary Conditions.- 1.4 Electron Transport.- 1.4.1 Classical Vlasov-Poisson.- 1.4.2 Semi-Classical Vlasov-Poisson.- 1.4.3 Semi-Classical Boltzmann Equation.- 1.4.4 Equilibrium.- 1.4.5 Hydrodynamic Equations.- 1.4.6 Electrons and Holes.- 1.4.7 Boundary Conditions.- 1.5 Summary.- 2 Modeling of Gas Flow.- 2.1 Typical Reactors.- 2.2 Hydrodynamic Equations.- 2.2.1 Balance Equations.- 2.2.2 Generalized Forces.- 2.3 Near Hydrodynamic Flows.- 2.3.1 Estimates of Transport Coefficients.- 2.3.2 Slip Boundary Conditions.- 2.4 Transition Regime Flows.- 2.4.1 Scattering Angle Models.- 2.4.2 Boundary Conditions.- 2.5 Free Molecular Flow.- 3 Numerical Methods for Rarefied Gas Dynamics.- 3.1 Direct Simulation Monte Carlo.- 3.1.1 Spatial Discretization.- 3.1.2 Time Step.- 3.1.3 Collision Step.- 3.1.4 Convection Step.- 3.1.5 Boundaries.- 3.2 Computing Results.- 3.3 Extensions.- 3.3.1 Multiple Species.- 3.3.2 Axisymmetric Flow.- 3.3.3 Gas Phase Chemical Reactions.- 3.4 Simplified Flows.- 3.4.1 Test Particle Method.- 3.4.2 Free Molecular Flow.- 4 Gas Transport Simulations.- 4.1 Near Hydrodynamic Effects.- 4.1.1 Determination of Slip Coefficients.- 4.1.2 The Diffusion Coefficient.- 4.2 UHV-CVD Reactor.- 4.3 Sputtering Reactors.- 4.3.1 The Reactor Model.- 4.3.2 Velocity Distributions.- 4.3.3 Collimated Sputtering.- 5 Modeling of Radiative Heat Transfer.- 5.1 Rapid Thermal Processing.- 5.2 Semi-transparent Materials.- 5.2.1 The McMahon Approximation.- 5.2.2 Example: Single Coating Layer.- 5.3 Optical Properties of Surfaces.- 5.4 Solution of the Integral Equation.- 5.4.1 The Series Solution.- 5.4.2 Specular Reflection.- 5.4.3 Diffuse Reflection.- 5.5 The Rendering Equation.- 6 Monte Carlo for Radiation Transport.- 6.1 Monte Carlo Solution Procedure.- 6.2 Quasi-Monte Carlo Methods.- 6.2.1 Discrepancy.- 6.2.2 Quasi-Random Sequences.- 6.2.3 Integration and Discrepancy.- 6.3 Coupling Radiation and Gas Transport.- 7 Radiation Transport Simulations.- 7.1 Case Study of an RTP Reactor.- 7.1.1 A Simplified Radiative Heat Transfer Reactor.- 7.1.2 Numerical Experiment.- 7.1.3 Numerical Results.- 7.1.4 Conclusions.- 7.2 Scalar Control RTCVD-reactor.- 7.3 Multi-variable Control RTCVD-reactor.- 8 Modeling of Charge Transport.- 8.1 Numerical Methods for Linear Transport.- 8.1.1 Event Based Monte Carlo.- 8.1.2 History Based Monte Carlo.- 8.2 Further Comparisons.- 8.2.1 Distribution Functions.- 8.2.2 Mass and Charge Currents.- A Monte Carlo Methods.- References.



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2026 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia