Structures hybrides pour la spintronique à base de semi-conducteurs : Croissance épitaxiale et propriétés structurales et magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge » książka
Structures hybrides pour la spintronique à base de semi-conducteurs : Croissance épitaxiale et propriétés structurales et magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge
ISBN-13: 9783841625946 / Francuski / Miękka / 2018 / 236 str.
Structures hybrides pour la spintronique à base de semi-conducteurs : Croissance épitaxiale et propriétés structurales et magnétiques d'hétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge
ISBN-13: 9783841625946 / Francuski / Miękka / 2018 / 236 str.
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L'intA(c)gration de matA(c)riaux ferromagnA(c)tiques dans des hA(c)tA(c)rostructures semi-conductrices offre de nouvelles perspectives en spintronique, domaine A(c)mergent qui exploite le spin et la charge de l'A(c)lectron. Dans ce manuscrit sont prA(c)sentA(c)s les rA(c)sultats de la croissance par A(c)pitaxie par jets molA(c)culaires d'hA(c)tA(c)rostructures de Mn5Ge3 sur Ge. L'avantage du composA(c) ferromagnA(c)tique Mn5Ge3 est de pouvoir s'intA(c)grer directement au Ge, semi-conducteur A fort potentiel pour le dA(c)veloppement d'une nouvelle gA(c)nA(c)ration de transistors plus performants. Un fort accent a A(c)tA(c) mis sur les caractA(c)risations structurales et la dA(c)termination des relations d'A(c)pitaxie du Mn5Ge3 avec le Ge(111) afin de les relier aux propriA(c)tA(c)s magnA(c)tiques. La seconde partie a A(c)tA(c) consacrA(c)e A l'A(c)tude des processus cinA(c)tiques d'incorporation de carbone dans les couches minces de Mn5Ge3 afin de contrAler ses propriA(c)tA(c)s magnA(c)tiques et sa stabilitA(c) thermique. Tous les rA(c)sultats indiquent que la structure hybride Mn5Ge3/Ge est un candidat prometteur pour rA(c)aliser l'injection, la manipulation et la dA(c)tection de spin dans les semi-conducteurs et ainsi dA(c)velopper des composants ayant des fonctionnalitA(c)s nouvelles.
Lintégration de matériaux ferromagnétiques dans des hétérostructures semi-conductrices offre de nouvelles perspectives en spintronique, domaine émergent qui exploite le spin et la charge de lélectron. Dans ce manuscrit sont présentés les résultats de la croissance par épitaxie par jets moléculaires dhétérostructures de Mn5Ge3 sur Ge. Lavantage du composé ferromagnétique Mn5Ge3 est de pouvoir sintégrer directement au Ge, semi-conducteur à fort potentiel pour le développement dune nouvelle génération de transistors plus performants. Un fort accent a été mis sur les caractérisations structurales et la détermination des relations dépitaxie du Mn5Ge3 avec le Ge(111) afin de les relier aux propriétés magnétiques. La seconde partie a été consacrée à létude des processus cinétiques dincorporation de carbone dans les couches minces de Mn5Ge3 afin de contrôler ses propriétés magnétiques et sa stabilité thermique. Tous les résultats indiquent que la structure hybride Mn5Ge3/Ge est un candidat prometteur pour réaliser linjection, la manipulation et la détection de spin dans les semi-conducteurs et ainsi développer des composants ayant des fonctionnalités nouvelles.
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