• Wyszukiwanie zaawansowane
  • Kategorie
  • Kategorie BISAC
  • Książki na zamówienie
  • Promocje
  • Granty
  • Książka na prezent
  • Opinie
  • Pomoc
  • Załóż konto
  • Zaloguj się

Structures Atomiques Et Electroniques » książka

zaloguj się | załóż konto
Logo Krainaksiazek.pl

koszyk

konto

szukaj
topmenu
Księgarnia internetowa
Szukaj
Książki na zamówienie
Promocje
Granty
Książka na prezent
Moje konto
Pomoc
 
 
Wyszukiwanie zaawansowane
Pusty koszyk
Bezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 złBezpłatna dostawa dla zamówień powyżej 20 zł

Kategorie główne

• Nauka
 [2946912]
• Literatura piękna
 [1852311]

  więcej...
• Turystyka
 [71421]
• Informatyka
 [150889]
• Komiksy
 [35717]
• Encyklopedie
 [23177]
• Dziecięca
 [617324]
• Hobby
 [138808]
• AudioBooki
 [1671]
• Literatura faktu
 [228371]
• Muzyka CD
 [400]
• Słowniki
 [2841]
• Inne
 [445428]
• Kalendarze
 [1545]
• Podręczniki
 [166819]
• Poradniki
 [480180]
• Religia
 [510412]
• Czasopisma
 [525]
• Sport
 [61271]
• Sztuka
 [242929]
• CD, DVD, Video
 [3371]
• Technologie
 [219258]
• Zdrowie
 [100961]
• Książkowe Klimaty
 [124]
• Zabawki
 [2341]
• Puzzle, gry
 [3766]
• Literatura w języku ukraińskim
 [255]
• Art. papiernicze i szkolne
 [7810]
Kategorie szczegółowe BISAC

Structures Atomiques Et Electroniques

ISBN-13: 9786131512421 / Francuski / Miękka / 2010 / 144 str.

Ngoc Bich Nguyen
Structures Atomiques Et Electroniques Ngoc Bich Nguyen 9786131512421 Editions Universitaires Europeennes - książkaWidoczna okładka, to zdjęcie poglądowe, a rzeczywista szata graficzna może różnić się od prezentowanej.

Structures Atomiques Et Electroniques

ISBN-13: 9786131512421 / Francuski / Miękka / 2010 / 144 str.

Ngoc Bich Nguyen
cena 219,69
(netto: 209,23 VAT:  5%)

Najniższa cena z 30 dni: 219,69
Termin realizacji zamówienia:
ok. 10-14 dni roboczych
Bez gwarancji dostawy przed świętami

Darmowa dostawa!

L'approche de la theorie de la fonctionnelle de la densite (DFT) est utilisee pour etudier les proprietes electroniques de nanograins de silicium incorpores dans une matrice de silice SiO2 dopee ou non avec de l'erbium. D'abord, nous nous sommes interesses au materiau constitue de nanograins de silicium immerges dans differentes formes cristallines de SiO2. Nous avons construit plusieurs modeles (supercellules cubiques de taille differentes contenant un grain de silicium dont la taille est egalement variable). Nous avons ainsi etudie l'influence de plusieurs parametres sur les proprietes electroniques: la taille des nanograins, les defauts a l'interface, la densite de nanograins par unite de volume de materiau et la phase cristalline de la matrice. Enfin, a partir des structures de nanograins obtenues precedemment, nous avons ajoute un atome erbium par supercellule. Nous avons explore la stabilite de differentes positions de la terre rare ainsi que les proprietes electroniques du materiau afin d'envisager un mecanisme possible de transfert d'energie entre un nanograin de silicium et un ion erbium."

Lapproche de la théorie de la fonctionnelle de la densité (DFT) est utilisée pour étudier les propriétés électroniques de nanograins de silicium incorporés dans une matrice de silice SiO2 dopée ou non avec de lerbium. Dabord, nous nous sommes intéressés au matériau constitué de nanograins de silicium immergés dans différentes formes cristallines de SiO2. Nous avons construit plusieurs modèles (supercellules cubiques de taille différentes contenant un grain de silicium dont la taille est également variable). Nous avons ainsi étudié linfluence de plusieurs paramètres sur les propriétés électroniques: la taille des nanograins, les défauts à linterface, la densité de nanograins par unité de volume de matériau et la phase cristalline de la matrice. Enfin, à partir des structures de nanograins obtenues précédemment, nous avons ajouté un atome erbium par supercellule. Nous avons exploré la stabilité de différentes positions de la terre rare ainsi que les propriétés électroniques du matériau afin denvisager un mécanisme possible de transfert dénergie entre un nanograin de silicium et un ion erbium.

Kategorie:
Nauka, Chemia
Kategorie BISAC:
Science > Chemia - Fizyczna
Wydawca:
Editions Universitaires Europeennes
Język:
Francuski
ISBN-13:
9786131512421
Rok wydania:
2010
Ilość stron:
144
Waga:
0.22 kg
Wymiary:
22.86 x 15.24 x 0.86
Oprawa:
Miękka
Wolumenów:
01

Dr. Ngoc Bich NGUYEN, docteur en physique de l'université de Caen, spécialiste en théorie de la fonctionnelle de la densité pour les semiconducteurs nanostructurés (J.of Phys. Vol. 20 p. 455209). Autre étude réalisée au cours de mon master au CNRS de Grenoble: structure électronique d'un plan de graphène en épitaxie sur SiC (PRL Vol. 99 p. 126805).



Udostępnij

Facebook - konto krainaksiazek.pl



Opinie o Krainaksiazek.pl na Opineo.pl

Partner Mybenefit

Krainaksiazek.pl w programie rzetelna firma Krainaksiaze.pl - płatności przez paypal

Czytaj nas na:

Facebook - krainaksiazek.pl
  • książki na zamówienie
  • granty
  • książka na prezent
  • kontakt
  • pomoc
  • opinie
  • regulamin
  • polityka prywatności

Zobacz:

  • Księgarnia czeska

  • Wydawnictwo Książkowe Klimaty

1997-2025 DolnySlask.com Agencja Internetowa

© 1997-2022 krainaksiazek.pl
     
KONTAKT | REGULAMIN | POLITYKA PRYWATNOŚCI | USTAWIENIA PRYWATNOŚCI
Zobacz: Księgarnia Czeska | Wydawnictwo Książkowe Klimaty | Mapa strony | Lista autorów
KrainaKsiazek.PL - Księgarnia Internetowa
Polityka prywatnosci - link
Krainaksiazek.pl - płatnośc Przelewy24
Przechowalnia Przechowalnia