Semiconducting Devices: A Bibliography of Fabrication Technology, Properties, and Applications

ISBN-13: 9781468460926 / Angielski / Miękka / 2012 / 944 str.

A. H. Agajanian

Opis

Since the advent of planar technology the literature on semi- conductor devices has been growing exponentially. This book of over 14000 references is intended to make the world literature available to workers in the field (beginners as well as experienced) to assist them in finding out what has been done by others in their fields of endeavor. The literature on theory, preparation, properties, character- ization, packaging, instrumentation and applications of semiconductor devices is thoroughly covered; the only aspect of preparation not covered is di ffusion. However, several books and comprehensive review articles on this subject are given in Chapter A. Radiation damage due to ion implantation is given in Chapter F. Radiation damage due to all other types of radiations is given in Chapter J. The chapters on processing technology, radiation damage, structural defects and analysis, modeling and packaging are quite general and apply to most types of semiconductor devices. Special attention is given to electrical properties and applications of FET, Schottky and charge-coupled devices in Chapters M, N, 0 and P.

Spis treści

A. Books and Review Articles (General).- I. Books.- II. Review Articles.- B. Crystal Growth and Wafer Preparation.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Automation.- V. Crystal Growth.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- 3. Group III–V Semiconductors.- 4. Group II–VI Semiconductors.- 5. Impurity Distribution.- 6. Equipment.- VI. Wafer Processing.- 1. Slicing.- 2. Polishing.- 3. Cleaning.- 4. Contamination.- 5. Holding/Positioning.- 6. Transport.- 7. Handling.- 8. Inspection.- 9. Others.- C. Epitaxy.- I. Books and Symposia.- II. Review Articles.- III. Equipment.- IV. Automation.- V. Growth Kinetics.- VI. Homoepitaxy.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III–V Semiconductors.- a. General.- b. Gallium Arsenide.- c. Gallium Phosphide.- d. Indium Phosphide.- e. Ternaries.- f. Others.- 4. Group II–IV Semiconductors.- a. General.- b. Cadmium Telluride.- c. Cadmium Sulphide.- d. Ternaries.- e. Others.- VII. Autodoping.- VIII. Impurities.- 1. Profiles.- 2. Incorporation.- a. Group IV Semiconductors.- b. Group III–V Semiconductors.- IX. Heteroepitaxy.- 1. Semiconductor on Semiconductor.- 2. Semiconductor on Insulator.- X. Film Properties.- 1. Electrical.- 2. Optical.- 3. Structural.- 4. Morphology.- XI. Applications.- 1. Bipolar Transistors.- 2. P-N Junctions.- 3. LED.- 4. Lasers.- 5. IMPATT.- 6. Waveguides.- 7. Microwave Devices.- 8. Others.- D. Dielectric Thin Films.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Film Preparation.- 1. Equipments.- 2. Oxidation Kinetics.- 3. Techniques.- a. Thermal Oxidation.- b. Sputtering.- c. Pyrolitic (CVD).- d. Anodic.- e. Evaporation.- f. Others.- V. Physical Measurements.- 1. Structural Defects.- 2. Thickness.- 3. Contamination and Impurities.- VI. Film Properties.- 1. Optical.- 2. Ionic Diffusion.- 3. Charge Injection, Trapping and Storage.- 4. Pressure Sensitivity.- VII. Double Dielectric.- VIII. Dielectric-Metal Interface.- IX. Passivation and PSG.- E. Lithography.- I. Books and Symposia.- II. Review Articles.- III. Equipment.- IV. Photoresist.- 1. General.- 2. Compositions.- a. Positive.- b. Negative.- 3. Processing.- a. Applying.- b. Exposure.- c. Developing.- d. Etching.- e. Removal.- 4. Properties.- a. Adhesion.- b. Resolution.- c. Spectral Sensitivity.- V. Electron Resist.- 1. General.- 2. Compositions.- 3. Processing.- 4. Properties.- VI. Other Resists.- 1. X-ray.- 2. Ion-beam.- 3. Laser and Holography.- VII. Masks.- 1. General.- 2. Compositions.- 3. Computer-Aided-Design (CAD).- 4. Fabrication.- 5. Alignment.- 6. Special Techniques.- 7. Properties.- 8. Defects and Inspection.- F. Ion Implantation.- I. Bibliographies.- II. Books and Symposia.- III. Review Articles.- IV. Theory.- V. Materials.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III–V Semiconductors.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Others.- 4. Group II–IV Semiconductors.- a. Cadmium Telluride.- b. Cadmium Sulphide.- c. Others.- 5. Dielectrics.- VI. Device Applications.- 1. General.- 2. P-N Junctions.- 3. Diodes.- a. Photodiodes.- b. LED.- c. Detectors.- d. IMPATT.- e. Schottky.- f. Others.- 4. Bipolar Transistors.- 5. Field-Effect Transistors.- a. MOSFET.- b. CMOSFET.- c. MNOSFET.- d. CCD.- 6. Resistors.- 7. Other Devices.- VII. Equipment.- 1. Accelerators.- 2. Ion Sources.- 3. Beam Focusing.- 4. Beam Profiling.- 5. Others.- G. Etching.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Equipment.- V. Techniques.- 1. Ion-Beam.- 2. Sputter.- 3. Plasma.- 4. Photo-etching.- 5. Chemical.- 6. Electrochemical.- 7. Others.- VI. Semiconductors.- 1. Group IV.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon Carbide.- 2. Group III–V.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Others.- 3. Group II–VI.- VII. Dielectrics.- 1. Silicon Dioxide.- 2. Silicon Nitride.- 3. Silicon Dioxide and Silicon Nitride.- 4. Others.- VIII. Metals.- 1. Copper and Copper Alloys.- 2. Aluminum and Aluminum Alloys.- 3. Titanium and Titanium Alloys.- 4. Gold.- 5. Silver.- 6. Chromium.- 7. Tungsten.- 8. Molybdenum.- 9. Nickel.- 10. Tantalum.- 11. Brass.- 12. Others.- H. Isolation Techniques.- I. Bibliographies.- II. Review Articles.- III. Junction Isolation.- 1. Conventional Junctions.- 2. Collector Diffusion (CDI).- 3. Base Diffusion (BDI).- 4. Epitaxial Isolation.- 5. Self Isolation.- 6. Others.- IV. Dielectric Isolation.- 1. Oxide Process.- a. LOCOS.- b. ISOPLANAR.- c. ROI (Recessed Oxide Isolation).- d. PLANOX.- e. OXIM.- f. POLYPLANAR.- g. IPOS (Isolation by Porous Oxidized Silicon).- h. Others.- 2. Air Gap.- 3. Polysilicon.- 4. Glass and Ceramics.- 5. Others.- V. Other Techniques.- I. Device Fabrication.- I. Field-Effect Transistors.- 1. Mosfet.- 2. Cmosfet.- 3. Mnosfet.- II. Charge-Coupled Devices.- III. Schottky Diodes.- 1. Surface Preparation.- 2. Metal Deposition.- 3. Edge Protection (Guard Rings).- 4. Heat Treatment and Silicide Formation.- IV. Ohmic Contacts.- 1. Group IV Semiconductors.- 2. Group III–V Semiconductors.- 3. Group II–VI Semiconductors.- 4. All Other Semiconductors.- 5. Reliability.- J. Radiation Damage.- I. Books.- II. Symposia.- III. Review Articles.- IV. Materials.- 1. General.- 2. Group IV Semiconductors.- a. Silicon.- b. Germanium.- c. Silicon and Germanium.- d. Silicon Carbide.- 3. Group III–V Semiconductors.- a. Gallium Arsenide.- b. Gallium Phosphide.- c. Indium Antimonide.- d. Others.- 4. Group II–IV Semiconductors.- a. Cadmium Sulphide.- b. Cadmium Telluride.- c. Others.- 5. Dielectrics.- a. Silicon Dioxide.- b. Others.- V. Devices.- 1. General.- 2. P-N Junctions.- 3. Bipolar Transistors.- 4. Field-Effect Transistors.- a. JFET.- b. MOSFET.- c. CMOSFET.- d. MISFET.- e. CCD.- f. SOS.- 5. Diodes.- a. IMPATT and TRAPATT.- b. LED.- c. Detectors.- d. Solar Cells.- e. Lasers.- f. Schottky.- g. Others.- 6. Other Devices.- K. Defects.- I. Books.- II. Review Articles.- III. Line Defects.- 1. Dislocations.- IV. Plane Defects.- 1. Stacking Faults.- 2. Twin Boundaries.- V. Point Defects.- 1. Vacancies and Interstitials.- 2. Impurities.- 3. Others.- VI. Mechanical Damage.- L. Structure Analysis.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Electron Beam Techniques.- 1. Scanning Electron Microscope.- a. SEM.- b. Cathodoluminescence.- c. Energy Dispersive Analysis.- d. Electron Beam Induced Current.- 2. Transmission Electron Microscope.- 3. Microprobe.- 4. Auger Electron Spectroscopy.- 5. Low Energy Electron Diffraction.- 6. High Energy Electron Diffraction.- 7. Electron Spectroscopy for Chemical Analysis.- 8. Others.- V. Ion Techniques.- 1. Probe.- 2. Ion Field.- 3. Backscattering.- 4. Mass Spectrometry.- VI. X-Ray Techniques.- 1. Topography.- 2. Borrmann Effect.- 3. Orientation Determination.- 4. Stress Analysis.- 5. Others.- VII. Infrared Techniques.- VIII. Neutron Techniques.- IX. Laser Techniques.- X. Etching Techniques.- XI. Electron Paramagnetic Resonance.- XII. Synergism.- XIII. Others.- M. Electrical and Optical Properties of mis Devices.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Theory.- V. Electrical Properties.- 1. Dielectric Breakdown.- 2. Dielectric Properties.- 3. Junction Breakdown.- 4. Noise Effects.- 5. Temperature Effects.- 6. Frequency Dependence.- 7. Switching Behavior.- 8. Charge Transport.- 9. Instabilities.- 10. Surface States.- a. General.- b. Fast Surface States.- c. Fixed Charge.- 11. Leakage Currents.- 12. Substrate Properties.- 13. Other Properties.- VI. Characterization.- 1. Impurity Profiles.- a. MIS Techniques.- b. Other Techniques.- 2. C–V Characteristics.- 3. I–V Characteristics.- 4. Other Techniques.- 5. Instrumentation.- VII. Gettering.- VIII. MIS as a Research Tool.- 1. Tunneling Spectroscopy.- 2. Carrier Mobility.- 3. Minority Carrier Lifetime.- 4. Others.- IX. Optical Properties.- 1. Photoelectric Effects.- 2. Others.- N. Fet Technologies and Applications.- I. Books.- II. Review Articles.- III. Technologies.- 1. Silicon-Gate.- 2. CMOS.- 3. MNOS.- 4. SOS.- 5. MOAS.- 6. FAMOS.- 7. MOS/Bipolar.- 8. DMOS.- 9. ESFI MOS.- 10. Non Conventional Dielectrics.- 11. Others.- IV. Applications.- 1. Memory.- 2. Logic.- 3. Microprocessors.- 4. Consumer Electronics.- a. Clocks and Watches.- b. Radio and Television.- c. Calculators.- d. Others.- 5. Electronic Instruments.- V. Reliability and Cost.- O. Charge-Coupled Devices.- I. Bibliographies.- II. Books and Symposia.- III. Review Articles.- IV. Clocking.- V. Applications.- 1. General.- 2. Shift Register/Memory.- 3. Analog Signal Processing.- 4. Filters.- 5. Image Sensors.- VI. Other Charge Transfer Devices.- 1. Bucket-Brigade.- 2. Surface Charge Transport.- 3. Others.- VII. Characterization.- 1. Transfer Efficiency.- 2. Noise Effects.- P. Schottky Diodes.- I. Books.- II. Review Articles.- III. Theory.- 1. Diffusion and Thermionic Emission.- 2. Thermionic-field and Field Emission Tunneling.- 3. Minority Carrier Injection.- 4. Image Force Lowering and Potential Energy Profile.- 5. Richardson Constant and Effective Mass.- 6. Surface States, Barrier Heights and Electrostatic Screening.- 7. Deep Lying Impurities.- 8. Photoresponse.- 9. IMREF in Barrier Region.- IV. Physical and Electrical Properties.- 1. Barrier Height.- a. Group IV Semiconductors.- b. Group III–V Semiconductors.- c. Group II–IV Semiconductors.- d. All Other Semiconductors.- 2. I–V Characteristics and Breakdown Phenomena.- 3. C–V Characteristics.- 4. Noise Effects.- 5. Photoresponse.- 6. Pressure Sensitivity.- 7. Temperature Effects.- 8. Contact Resistance.- 9. Ohmic Contacts.- V. Schottky Barrier Diode as a Research Tool.- 1. Impurity Profiling and Deep Lying Impurities.- 2. Tunneling Spectroscopy.- 3. Density of States and E-k Relationship.- 4. Other Applications.- VI. Practical Applications.- 1. Memory.- 2. Logic.- 3. Microwave Diodes.- 4. Schottky-Gate Field-Effect Transistors.- 5. Photo Detectors.- 6. Particle Detectors.- 7. Power Rectifiers.- VII. Exploratory Devices.- 1. Surface Barrier Transistors.- 2. Acoustic Wave Transducers.- 3. Cold Cathode Emitters.- 4. Bistable Switches.- 5. Luminescent Diodes.- 6. Gunn Effect Elements.- 7. Microphones and Pressure Sensors.- 8. Others.- Q. Modeling.- I. Bibliographies.- II. Books.- III. Review Articles.- IV. Computer Analysis.- V. Mathematical Analysis.- VI. P-N Junctions.- VII. Diodes.- 1. General.- 2. IMPATT and TRAPATT.- 3. Avalanche.- 4. Schottky.- 5. Gunn.- 6. PIN.- 7. BARITT.- 8. Others.- VIII. Bipolar Transistors.- 1. General.- 2. Ebers-Moll Model.- 3. Charge Control Model.- 4. Statistical Models.- 5. Other Models.- 6. Computer Analysis.- 7. High Frequency Transistors.- 8. Other Bipolar Devices.- IX. Field-Effect Transistors.- 1. General.- 2. JFET.- 3. MOSFET.- a. Two-Dimensional Models.- b. Statistical Models.- c. Other Models.- d. Computer Analysis.- 4. MNOSFET.- 5. Schottky-Gate FET.- 6. MISFET.- X. Charge-Coupled Devices.- XI. Ohmic Contacts.- XII. Silicon Dioxide.- XIII. Thyristors.- XIV. Other Devices.- XV. Integrated Circuits.- 1. MOS IC.- 2. Other IC’s.- 3. Computer-Aided Design.- XVI. Second Breakdown.- XVII. Miscellaneous.- R. Packaging.- I. Bibliographies.- II. Book.- III. Review Articles.- IV. Chip Bonding.- V. Beam-Lead Devices.- VI. Soldering Techniques.- VII. Bonding Techniques.- 1. Thermocompression.- 2. Ultrasonic.- 3. Others.- VIII. Metal-Insulator Seals.- 1. Ceramic.- 2. Glass.- IX. Interconnections.- 1. Single Layer.- 2. Multilayer.- X. Metallized Ceramics.- XI. Epoxies.- XII. Pastes/Screens.- XIII. Resistors.- XIV. Capacitors.- XV. Laser Techniques.- 1. Resistor Trimming.- 2. Insulator Processing.- 3. Others.- XVI. Encapsulation.- XVII. Hermeticity.- XVIII. Fabrication Techniques.- XIX. Types of Packages.- 1. Plastic.- 2. Ceramic.- 3. Multilayer Ceramic.- 4. Hybrid.- 5. Optoelectronic.- 6. Others.- XX. Thermal Design.- 1. Cooling Techniques.- 2. Heat Sinks.- 3. Thermal Analysis.- XXI. Reliability and Failure Analysis.- 1. Metallization Failure.- 2. Bond Failure.- 3. Circuitry Failure.- 4. Encapsulation Failure.- 5. Other Failures.- XXII. Characterization.- 1. Substrates.- 2. Bonds.- 3. Integrated Circuits.- 4. Coatings.- 5. Others.- XXIII. Computer-Aided Design.- XXIV. Tooling and Equipment.- XXV. Cost and Yield.