Photoluminescence Résolue En Temps de Puits Quantiques Gan/Algan

ISBN-13: 9786131548253 / Francuski / Miękka / 2018 / 140 str.

Mathieu Gallart

Opis

Nous étudions, par photoluminescence résolue en temps, des puits quantiques GaN/AlGaN, élaborés en épitaxie par jet moléculaire (EJM). Ces systèmes sont le siège de champs électriques internes de lordre du MV/cm, dus à la piézoélectricité et à la polarisation spontanée, qui influent fortement sur le temps de vie radiatif des excitons. Le désaccord entre les temps de vie calculés dans le formalisme de la fonction enveloppe et les temps de déclin de photoluminescence expérimentaux indique quil existe des phénomènes non radiatifs dont lefficacité croît exponentiellement lorsquon réduit la largeur de barrière dans les échantillons à multipuits quantiques. Nous montrons également, par une approche expérimentale et théorique, comment la faible extension spatiale de lexciton tend à le localiser sur les rugosités dinterface à basse température. Cette localisation, comparable à celle qui intervient dans des systèmes plus complexes comme les puits quantiques InGaN/GaN, est susceptible protéger lexciton de la capture par les centres non radiatifs que sont les dislocations traversantes.

O autorze

Mathieu Gallart, docteur en physique de l'université des sciences et techniques du Languedoc (Montpellier II). Actuellement maître de conférences à l'institut de physique et chimie des matériaux de Strasbourg(IPCMS), son domaine de prédilection est la spectroscopie ultra-rapide de nanostructures semiconductrices.