Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs » książka
Modélisation de la Mobilité Des Électrons Dans Les Semiconducteurs
ISBN-13: 9786131551390 / Francuski / Miękka / 2018 / 88 str.
Des matA(c)riaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont trA]s attractifs car leur utilisation, dans l''industrie des composants A(c)lectroniques, permet d''atteindre simultanA(c)ment de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. C''est en particulier la consA(c)quence des propriA(c)tA(c)s remarquables des composA(c)s III-V A base d''azote que sont les nitrures. Des modA]les de la mobilitA(c) des A(c)lectrons dans nitrure de gallium ont A(c)tA(c) dA(c)veloppA(c)s au paravent, mais leurs applications sont limitA(c)es car ils ne sont pas valables pour les basses tempA(c)ratures (T10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destinA(c) A dA(c)velopper des approches analytiques de la mobilitA(c) des A(c)lectrons qui peuvent Aatre utilisA(c)es pour A(c)tudier le mA(c)canisme de transport des A(c)lectrons dans le GaN pour des larges gammes de tempA(c)ratures et de dopages sous l''effet de n''importe quel champ A(c)lectrique en utilisant les techniques A(c)volutionnaires.
Des matériaux tels que le carbure de silicium (SiC) ou le nitrure de gallium (GaN) sont très attractifs car leur utilisation, dans lindustrie des composants électroniques, permet datteindre simultanément de forts courants et de fortes tensions et donc de fortes puissances. Cest en particulier la conséquence des propriétés remarquables des composés III-V à base dazote que sont les nitrures. Des modèles de la mobilité des électrons dans nitrure de gallium ont été développés au paravent, mais leurs applications sont limitées car ils ne sont pas valables pour les basses températures (T<240K) et les concentrations du dopants (dopage) élevées (N>10E18cm-3), la raison pour laquelle notre livre est destiné à développer des approches analytiques de la mobilité des électrons qui peuvent être utilisées pour étudier le mécanisme de transport des électrons dans le GaN pour des larges gammes de températures et de dopages sous leffet de nimporte quel champ électrique en utilisant les techniques évolutionnaires.
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