ISBN-13: 9783841737427 / Francuski / Miękka / 2018 / 108 str.
Les hA(c)tA(c)ro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au dA(c)saccord de maille entre les deux matA(c)riaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins A(c)vident malgrA(c) le dA(c)saccord de maille; une transition plastique apparaA(R)t aux dA(c)pends de la transition A(c)lastique 3D. Cependant, par un procA(c)dA(c) de croissance, qui consiste A recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser l'apparition des boites quantiques. Ceci est dA au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une A(c)nergie de surface plus importante et donc un coAt en A(c)nergie de surface des facettes d'A(R)lots 3D plus petit. Ceci peut Aatre dA(c)crit par des calculs de type ab-initio qui consiste A calculer les A(c)nergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd.
Les hétéro-structures des semiconducteurs III-V montrent sous certaines conditions de croissance une transition Stranski-Krastanov 2D-3D, qui est due au désaccord de maille entre les deux matériaux. Pour les II-VI tel que CdTe/ZnTe, ceci est beaucoup moins évident malgré le désaccord de maille; une transition plastique apparaît aux dépends de la transition élastique 3D. Cependant, par un procédé de croissance, qui consiste à recouvrir les couches 2D fortement contraintes de CdTe par des couches minces de Tellure amorphe, va favoriser lapparition des boites quantiques. Ceci est dû au fait que la surface du CdTe riche en Te, va avoir une énergie de surface plus importante et donc un coût en énergie de surface des facettes dîlots 3D plus petit. Ceci peut être décrit par des calculs de type ab-initio qui consiste à calculer les énergies de surface du CdTe en fonction des taux de couverture en atomes de Te et de Cd.