Entwicklung Und Optimierung Von Prozeßkomponenten Zur Ionenunterstützten Abscheidung Bei Pvd-Verfahren

ISBN-13: 9783540585114 / Niemiecki / Miękka / 1994 / 126 str.

Walter Olbrich

Opis

zur Substratoberfliiche wird dort ein Teilchen beschuB ennoglicht."

Spis treści

1 Einleitung.- 2 Entwicklungsbedarf in der PVD-Technologie.- 3 Aufgabenstellung.- 4 PVD-Verfahrenstechnologie.- 4.1 Grundlagen.- 4.1.1 Vakuum..- 4.1.2 Niedertemperaturplasma.- 4.1.3 Gasentladungen.- 4.2 Beschichtungstechnologien.- 4.2.1 Lichtbogen-Verdampfen.- 4.2.2 Sputtern.- 4.2.3 Prozeßablauf.- 4.3 Konventionelle Methoden des ionenunterstützten Abscheidens.- 4.3.1 DC-Biasspannung.- 4.3.2 Ionenstrahlunterstütztes PVD-Beschichten.- 4.3.3 Wirkung des Teilchenbeschusses auf die Schichteigenschaften.- 4.3.4 Verwendung gepulster Plasmen in der Schichttechnik.- 4.4 Meßverfahren.- 5 Die überlagert gepulste Biasspannung.- 5.1 Aufbau.- 5.2 Grundlegende Betrachtungen zur überlagert gepulsten Biasspannung.- 6 Wirkungen der überlagert gepulsten Biasspannung auf die Prozeßbedingungen.- 6.1 Beschichtungstemperatur.- 6.2 Ionenstromdichte.- 6.3 Ionenenergie.- 7 Ergebnisse der Beschichtungsversuche.- 7.1 Abscheiderate.- 7.2 Bevorzugte Kristallorientierung.- 7.3 Mikrostruktur.- 7.4 Schichtcigenspannungen.- 7.5 Verbundfestigkeit, Haftfestigkeit.- 7.6 Mikrohärte.- 7.7 Rauheit.- 7.8 Korrosionsbeständigkeit.- 8 Anwendungsbeispiele.- 9 Bewertung der Ergebnisse.- 10 Zusammenfassung.- 11 Ausblick.- 12 Literaturverzeichnis.