Elektronen- Und Ionenprozesse in Ionenkristallen: Mit Berücksichtigung Photochemischer Prozesse

ISBN-13: 9783642947650 / Niemiecki / Miękka / 2012 / 308 str.

Ostap Stasiw

Spis treści

I: Statistik von Störstellen in Ionenkristallen.- § 1. Allgemeine statistische Behandlung von Störstellen im Kristallgitter.- § 2. Statistik für Störstellen ohne Wechselwirkung.- § 3. Thermisches Gleichgewicht von Störstellen.- § 4. Störstellengleichgewichte bei tiefen und hohen Temperaturen im Spezialfall des Silberbromids.- § 5. Störstellengleichgewichte in Mischkristallen.- § 6. Ansätze zur Statistik der Störstellen mit Wechselwirkung.- § 7. Störstellenstatistik in Mischkristallen bei Berücksichtigung einfacher Stufenversetzungen.- § 8. Bildung von Stufenversetzungen im Zusammenhang mit der Schottkyschen Fehlordnung.- § 9. Realkristalle.- II: Fehlordnungsenergie.- § 1. Gitterenergie und Fehlordnungsenergie.- § 2. Berechnung der Polarisationsenergie aus der Deformierbarkeit der Elektronenhüllen.- § 3. Beitrag der Ionenverschiebung zur Polarisationsenergie.- § 4. Elementare Bestimmung der Polarisationsenergie.- III: Platzwechselvorgänge, Diffusion und Ionenleitung.- § 1. Mechanismus der Platzwechselvorgänge.- § 2. Der Diffusionskoeffizient von Störstellen.- § 3. Störstellenabhängigkeit des Selbstdiffusionskoeffizienten.- § 4. Bestimmung von Selbstdiffusionskoeffizienten in Alkalihalogeniden mit Zusätzen.- § 5. Diffusion von Fremdionen in Mischkristallen.- § 6. Platzwechselvorgänge und Ionenleitung.- § 7. Temperaturabhängigkeit der Ionenleitung und ihr Zusammenhang mit der Fehlordnungsenergie.- § 8. Beweglichkeiten der Störstellen und Fehlordnungskonzentrationen reiner Stoffe und ihre Bestimmung aus der Ionenleitung in Mischkristallen.- § 9. Druckabhängigkeit der Ionenleitung in Mischkristallen.- § 10. Ionenleitung in Mischkristallen mit einwertigen Zusätzen.- § 11. Korrektur der Einsteinschen Beziehung bei der Bestimmung der Diffusionskonstanten aus der Ionenleitung.- § 12. Dipolrelaxation assoziierter Fehlstellen im elektrischen Wechselfeld.- IV: Das Absorptionsspektrum des idealen Ionengitters.- § 1. Absorptionsspektren zusatzfreier Ionenkristalle.- § 2. Einfache Berechnung der Lage der Absorptionsmaxima aus dem Kreisprozeß.- § 3. Das Bändermodell des Ionenkristalls.- § 4. Deutung der Absorptionsspektren mit dem Bändermodell.- § 5. Entstehung von Absorptionszentren in der Umgebung von Störstellen.- § 6. Erzeugung von hohen Störstellenkonzentrationen und ihr Einfluß auf das Absorptionsspektrum.- V: Das Absorptionsspektrum von Ionengittern mit stöchiometrischem Überschuß der Kationen- oder Anionenkomponente.- § 1. Energiezustände der Elektronen in der Umgebung von Kationen- und Anionenliicken.- § 2. Bildung von F- und V-Zentren.- § 3. Farbzentren im Gleichgewicht mit Alkalidampf.- § 4. Erzeugung von Farbzentren in hoher Konzentration und von neuen Zentren in Alkali- und Silberhalogeniden.- § 5. Farbzentrenanisotropie bei Bestrahlung mit polarisiertem Licht.- § 6. Absorptionszentren in MgO-Kristallen.- VI: Absorptionsspektren von Ionengittern mit Fremdzusätzen.- § 1. Absorptionsspektren einfacher Mischkristalle.- § 2. Absorptionsspektren von Ionengittern mit Zusätzen einwertiger Anionen.- § 3. Allgemeines über Absorptionsspektren von Mischkristallen mit zweiwertigen Anionenzusätzen.- § 4. Von freien Schwefel- und Selenionen in Silberhalogeniden verursachte Absorption.- § 5. Änderung der Absorptionsstruktur.- § 6. Zum Absorptionsspektrum der in Störstellen von Ionengittern eingefangenen Überschußelektronen.- § 7. Absorptionsspektrum von Alkalihalogenidgittern mit Kationenzusätzen.- § 8. Das Verhalten der Kationenzusätze in Silberhalogeniden.- § 9. Einiges zur Absorption von Mischkristallen mit Zusatz von Kationen und Anionen.- VII: Elektronische Störstellentheorie.- § 1. Allgemeines zur Störstellenstatistik der Elektronen.- § 2. Theoretische Ansätze.- § 3. Thermisches Gleichgewicht zwischen elektronischen und materiellen Störstellen.- § 4. Einiges zur Statistik von Gitterschwingungen.- VIII: Halbleiterprozesse.- § 1. Prinzipielles zur thermischen Anregung der Elektronen im Gitter.- § 2. Eigenschaften der Störstellen und elektronische Leitung.- § 3. Bestimmung der Konzentration freier Elektronen aus der Statistik.- § 4. Elektronenüberschußleitung in Alkalihalogeniden mit stöchiometrischem Überschuß des Alkalimetalls.- § 5. Elektronische Leitung im ZnO mit Zn- oder Sauerstoffüberschuß.- § 6. Defektleitung. — Leitfähigkeit von KJ mit J-Überschuß und Cu2O mit Sauerstoffüberschuß.- IX: Lichtelektrische Leitung.- § 1. Grundsätzliches zur lichtelektrischen Leitung.- § 2. Allgemeine Beziehungen zur Untersuchung stationärer Vorgänge bei der lichtelektrischen Leitung.- § 3. Bestimmung der Schubwege der Elektronen in einigen Ionengittern aus der Messung der Primärströme.- § 4. Versuche zur direkten Bestimmung der Schubwege im AgCl-Gitter.- § 5. Zur Bildung freier Elektronen nach der Absorption der Strahlung.- § 6. Nichtstationäre Vorgänge bei lichtelektrischer Leitung und Untersuchung der Einzelprozesse in Silberhalogeniden.- § 7. Verlängerte Schubwege in Alkalihalogeniden mit F-Zentren.- § 8. Lichtelektrische Leitung in Alkalihalogeniden bei Bestrahlung mit Quanten hoher Energie.- § 9. Einfluß der Sekundärprozesse bei der lichtelektrischen Leitung im KBr—KH-Mischkristall als Halbleitermodell.- § 10. Die Beeinflussung der lichtelektrischen Leitung durch photochemische Reaktion am Beispiel des ZnO.- X: Photochemische Prozesse in reinen Ionengittern.- § 1. Allgemeines zur Bildung der photochemischen Reaktionsprodukte.- § 2. Photochemische Prozesse in reinen Alkalihalogeniden.- § 3. Elektronen- und Ionenprozesse in Alkalihalogeniden nach Bestrahlung mit Röntgenlicht.- § 4. Die Absorption der ?-Zentren.- § 5. Die Entstehung der ?-Absorption und Vorgänge in unmittelbarer Nachbarschaft der Stufenversetzungen.- § 6. Weitere Modelle zur Störstellenerzeugung mit energiereicher Strahlung.- § 7. Photochemische Prozesse in Alkalihalogeniden nach Bestrahlung mit Röntgenlicht.- § 8. Stabilität der photochemischen Reaktionsprodukte in Realkristallen.- § 9. Zentrenmodelle für photochemische Reaktionsprodukte in Alkalihalogeniden.- § 10. R1-, R2-, M-, N- und F?-Banden in additiv verfärbten Kristallen.- § 11. Das Verhalten der photochemisch gebildeten F- und F?-Absorption bei tiefsten Temperaturen.- § 12. Allgemeines zur Photochemie der Silberhalogenide.- § 13. Reaktionen von Elektronen, Defektelektronen und Störstellen reiner Silberhalogenide während der Bestrahlung.- § 14. Oberflächenvorgänge bei Störstellenreaktionen in reinen Silberhalogeniden.- § 15. Photochemische Prozesse und Ionenleitung im NaCl-Gitter.- XI: Photochemische Prozesse in Ionengittern mit Zusätzen.- § 1. Photochemische Prozesse in Alkalihalogeniden mit Zusatz von Wasserstoffionen.- § 2. Photochemischer Reaktionsmechanismus in Alkalihalogenidkristallen mit Zusatz von Wasserstoffionen.- § 3. Farbzentrenbildung nach Bestrahlung der wasserstoffionenhaltigen Alkalihalogenidkristalle mit Röntgenlicht.- § 4. Allgemeines über photochemische Prozesse der Alkalihalogenide mit zweiwertigen und anderen Anionenzusätzen.- § 5. Photochemische Reaktion der farbzentrenhaltigen Alkalihalogenide mit Sr- und Ca-Zusatz.- § 6 Einstellung der Störstellengleichgewichte in Silberhalogeniden mit Zusätzen.- § 7. Photochemische Prozesse in Silberhalogeniden mit Ag2S- und Ag2Se-Zusatz.- § 8. Thermodynamische Behandlung von Störstellengleichgewichten in Silberhalogeniden mit Zusatz von zweiwertigen Anionen.- § 9. Photochemische Prozesse und Störstelleneigenschaften.- § 10. Der Einfluß der Versetzungen in Silberhalogeniden mit Zusatz von Fremdanionen auf das Absorptionsspektrum und die Bildung der photochemischen Reaktionsprodukte.- § 11. Bildung neuer Störstellen und photochemischer Reaktionsprodukte durch mechanische Verformung der Silberhalogenide.- § 12. Diskussion der gemessenen photochemischen Reaktionsprodukte in AgBr—Ag2S- und AgBr—Ag2Se-Kristallen.- § 13. Quantitative Abschätzung der Einzelprozesse beim Ablauf einer photochemischen Reaktion am Beispiel AgBr—Ag2S.- § 14 Einige weitere experimentelle Untersuchungen des photochemischen Reaktionsmechanismus an AgBr—Ag2S-Mischkristallen.- § 15. Allgemeines zur Photochemie der AgCl-Kristalle mit Zusatz von Ag2S oder Ag2Se.- § 16. Photochemische Reaktionsprodukte in AgCl-Kristallen mit Ag2S- oder Ag2Se-Zusatz.- § 17. Elektronen- und Ionenprozesse nach der Absorption der Strahlung im Grundgitter der Silberhalogenid-Mischkristalle.- § 18. Das Verhalten der photochemischen Reaktionsprodukte bei Rotlichtbestrahlung.- § 19. Das Verhalten der photochemischen Reaktionsprodukte bei Röntgenbestrahlung.- § 20. Das Verhalten der Störstellen im stationären Gleichgewicht während der Bestrahlung.- § 21. Zeitliche Änderung verschiedenartiger Störstellen während der Bestrahlung.- XII: Photochemische Prozesse in mechanisch verformten Kristallen.- § 1. Allgemeines zur mechanischen Verformung der Kristalle.- § 2. Die photochemischen Reaktionsprodukte nach der Verformung und ihr Nachweis durch Messung der Lumineszenzspektren.- § 3. Theoretische Ansätze zur Untersuchung der Vorgänge bei der Bildung der photochemischen Reaktionsprodukte nach der Absorption der Strahlung in den Sensibilisierungszentren.- XIII: Störstellen und Kernresonanz.- § 1. Grundlagen der magnetischen Kernresonanz.- § 2. Kernquadrupolwechselwirkung und Störstellen.- § 3. Paramagnetische Resonanz.- XIV: Anwendung der adiabatischen Näherung auf Kristalle mit Störstellen.- § 1. Quantentheoretische Behandlung der optischen Eigenschaften der Ionenkristalle mit Störstellen.- § 2. Adiabatische Näherung.- § 3. Darstellung von Gitterschwingungen in Normalkoordinaten.- § 4. Elektronenübergänge in Störstellen.- § 5. Zum Problem der Lichtabsorption in Störstellen.- § 6. Die lonengleichung.- § 7. Berechnung der Absorptionskonstanten.- § 8. Mittlere Größe der optischen Anregungsenergie.- § 9. Die Halbwertsbreite.- § 10. Die Absorptionsbande.- § 11. Strahlungslose Übergänge.- Namenverzeichnis.